用能量（）禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。
常温下本征半导体硅的禁带宽度为（）eV。
解释重掺杂半导体使禁带变窄的原因。
为了使电子从价带激发到导带，入射光子的能量E0应该大于禁带宽度Eg。
光电极是将镀有（）的氧化泡沫作为导电性膜敷在（），然后将胶状的Tio2涂在上面，在450℃进行焙烧，得到由10~30nm的TiO2纳米粒子的沉积所构成的多孔物质膜所形成的。
如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央，则它对电子的俘获率（）空穴的俘获率。
禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子（）外界因素（如高温和辐射等）的干扰而产生变化。
氢化非晶硅的禁带宽度可调，含氢量增加，禁带宽度（）；在非晶硅中掺入Ge元素，其禁带宽度（）。
入射光强改变物质导电率的物理现象,叫光电导效应。为使电子从价带激发到导带,入射光子的能量E0应大于禁带宽度Eg,即光的波长应小于某一临界波长λ0。
以硅的本征激发为例，说明半导体能带图的物理意义及其与硅晶格结构的联系，为什么电子从其价键上挣脱出来所需的最小能量就是半导体的禁带宽度？
光通信是当代新技术革命的重要内容，也是信息社会的重要标志，光导纤维的质量要求极严，其纯度要比半导体材料高出两个数量级.全球纳米科学与技术的迅猛发展将对一些学科、产业和社会带来革命性的变化。二氧化钛纳米材料由于具有良好的光学催化特性、耐化学腐蚀性和热稳定性，目前已被大力开发生产，从物质分类的角度看二氧化钛（TiO2）属于（）
半导体、催化燃烧、固体导热、光离子化等检测仪都属于利用（）性质的气体传感器。
半导体光放大器的频带宽度一般为（）nm。
当半导体受到外界光和热的刺激时，其导电能力会显著变化。
半导体材料的（）（或禁带宽度或Eg）决定半导体材料对太阳光的吸收和光伏电池的光伏能量转换效率。
N型半导体的费米能级处于禁带（）。
在光纤中传播的光波，沿途受到直径比光波长还小的散射粒子的散射，而向（）传播的一部分光称为背向散射光。
高速运动的带电粒子受到突然加速或减速会发射出具有连续能量的电磁辐射称为（）
由N个自旋极化的粒子组成的理想费米气体处在径向频率为ω,轴向频率为λωr的磁光陷阱内，粒子的能量(哈密顿量)为
最新一期《自然.纳米技术》介绍了来自中国的重要成果：新型催化剂可把二氧化碳这一温室气体高效转化为清洁液体燃料--()。
一、单项选择（每题4分） 1、从能带角度分析绝缘体、导体和半导体，以下说法错误的是（)。 A. 绝缘体一般具有较大的禁带宽度 B. 绝缘体的导电性能差 C. 半导体的禁带宽度大于绝缘体，而小于导体 D. 一般来讲，材料的禁带宽度越大，导电性越差 2、若半导体材料的费米能级高于本征费米能级，则该半导体具体为（)。 A. 本征半导体 B. P型半导体 C. N型半导体 D. 杂质半导体 3、当PN结加反向偏压时，它的耗尽层宽度 ，势垒高度 （)。 A. 变宽，变小 B. 变窄，变大 C. 变窄，变小 D. 变宽，变大 4、 对于单边突变硅n+/p结，耗尽区主要分布在（） A. n+区 B. p区 C. 中性区 D. 扩散区 4、对平衡状态下的PN结，下列说法错误的是（） A. 它的空间电荷区也叫耗尽区 B. 耗尽区存在自由载流子，非电中性 C. 中性区电场强度为零 D. 空间电荷区外部区域称为中性区 5、PN结势垒区电势最低的位置是（）。 A. 靠近P区的势垒区边界 B. 靠近N
【判断题】通常情况下,绝缘体禁带宽度大于半导体
7、绝缘体和半导体的能带类似，但绝缘体的禁带宽度一般要（）半导体的禁带宽度。
