三极管的内部结构是由基区、（）区、集电区及发射结和集电结组成的。
晶体三极管饱和时发射结和集电结都处于（）偏置。
晶体管内部由3层半导体材料构成，分别称为发射区、基区和集电区，结合处形成两个PN结，分别称为发射极和集电极。
三极管的发射区和集电区是由同一种杂质半导体构成的，故发射极和集电极可以互换使用。
三极管发射区和基区之间的PN结称为发射结，集电区和基区之间的PN结称为（）。
晶体三极管的发射区和集电区由同一类半导体（N型或P型）构成，所以发射极和集电极可以相互调换使用。
晶体三极管又称半导体三极管，它有三个电极，分别为发射极、基极、集电极，其中（）表示发射极。
晶体三极管具有放大作用，发射结和集电结必须分别加（）。
晶体三极管具有放大作用，发射结和集电结必须分别加正向偏置和反向偏置。
标准双极型工艺中的纵向NPN晶体管的发射区掺杂浓度比集电区小。
晶体三极管的基区之所以做得很薄，其目的是减少电子和空穴在基区的复合机会，从而使发射区进入基区的载流子，绝大部分能进入集电区而形成较大的集电级电流。
晶体三极管饱和区的特点是发射结和集电结处于反偏状态。
当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（）。
测量半导体三极管的发射结与集电结，如均为正偏，则它工作在（）区；如皆为反偏，则它工作在（）区。
三极管内部由三层半导体材料组成，分别称为发射区、基区和集电区，结合处形成两个PN结，分别为发射结和（）。
晶体管工作在放大区时，其发射结和集电结的偏置关系是( )。
当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为
1、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（）。
当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为( )。
半导体三极管当三极管的发射结和集电结都处于反向偏置时，三极管截止，相当于开关断开（）
半导体三极管放大原理当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（）
4、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（）。
26、晶体三极管工作在截止区时，发射结和集电结均为 。
10、NPN型三极管的发射区发射电子，集电区收集电子。
