绝缘栅双极型晶体管简称（）。
解决双极型晶体管纵向按比例缩小问题的方法是什么？
绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极为栅极作为栅极，以以电力晶体管（）和发射极作为发射极与集电极复合而成。
典型双极型硅工艺中的硅晶体管存在哪些问题？
绝缘栅双极型晶体管内部为（）层结构。
绝缘栅双极型晶体管静态特性可分为可调电阻区、饱和区和击穿区。
工作在放大状态的双极型晶体管是（）。
绝缘栅双极型晶体管的英语缩写是（）。
双极型晶体管的最高速度取决于哪些因素？
晶体三极管发射区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度。
绝缘栅双极型晶体管（IGBT）是以场效应晶体管作为基极，以（）作为发射与集电极复合而成。
场效应管与双极型晶体管有什么不同？
双极型晶体管和场效应晶体管的控制信号为（）。
晶体管可分为双极型和（_ _ _)型
双极型晶体管集成电路的特点是()
集电极开路时发射结击穿电压表示为VEBO。对于标准双极型工艺制造的NPN晶体管，VEBO大约（)左右。A
（1）若均匀掺杂NPN晶体管的参数如下所示，请采用理想晶体管模型计算该晶体管的注入效率、基区输运系数和共射极电流放大系数β0 发射区掺杂浓度NE＝5×10（^18)/CM（^3)，基区掺杂浓度NB＝1×10（^16)/CM（^3) 发射区宽度XE＝0.20μm， 基区宽度XB＝0.10μm 发射区少子扩散系数DE=10CM（^2)/S，基区少子扩散系数DB=25CM（^2)/S 发射区少子寿命τE0＝1×10（^-7)/S， 基区少子寿命τB0＝5×10（^-7)/S （2）实际生产中，工艺必然存在分散性。按照上述参数要求生产一批晶体管，如果不考虑其他参数的分散性，只考虑基区宽度XB分散范围在0.08μm到0.12μm之间，请计算这批晶体管共射极电流放大系数β0值的分散变化范围。
为了使三极管能有效地起放大作用，要求三极管的发射区掺杂浓度______；基区宽度______；集电结结面积比发射结结面积______；其理由是什么？如果将三极管的集电极和发射极对调使用，能否起放大作用？
BA004 绝缘栅双极型晶体管简称（）
2、当（）时双极型晶体管处于饱和状态。
15、制造晶体管时要求发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。
1-8 双极型晶体管有几个工作区？各有何特点？数字电路中，三极管工作在什么区？模拟电路中，三极管又工作在什么区？
一般情况下，晶体三极管发射区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度。（）
集成电路按照所用晶体管结构、电路和工艺的不同，主要分为双极型集成电路、（b）集成电路等（）
