目前世界上，用铸造法制造基片得到的小面积电池片的最高转换效率可达到（）。
a-Si太阳能电池是大面积制膜，但透明导电层的阻力引起的损失使电池无法得到（），因此有必要分割为复数电池片，再进行电气结合。
晶体硅太阳电池的厚度一般为（）μm左右。
GAAS80/700焊机的冷却水最高温度为（）度。
GaAs或InP太阳能电池由于（）且有（），作为空间太阳能电池已被实用化。
为了严密地分析a-Si太阳能电池的工作解析的话，必须要对（）三个量的非线性结合的电子及空穴输送方程式同时进行求解。
活性层为织构化结构的厚度最佳为（）时，1c㎡角的nip电池片得到了10.1%的效率。
在可视光区域中，吸收系数可高达（），厚度为1µm就可能充分地吸收太阳光。
太阳能单一结电池片可以分为（）；（）、双异质性结构、倾斜禁带宽度型、异质结构、短键位垒型、量子阱结构超晶格结构、Si以及Ge基片上的薄膜电池片上。
目前国产蓄电池极板的厚度为（）mm，国外大都采用（）mm厚的薄型极板（正极板比负极板（））。采用薄型极板可提高蓄电池的（）。
2007年版“广东省公安机关特殊工作车辆通行证”的基片为：（）
通过控制多晶硅电池表面氮化硅的厚度可以使电池表面呈现不同的色彩，其中厚度为210nm的显示的颜色为（）。
即使a-Si太阳能电池的p层的厚度只有7nm，依然有（）的光被吸收，为了将此吸再降低，必须提高p层的（）。
近年来，一半以上的太阳能电池使用的是用铸造法制造的（）基片。
在a-Si：H太阳能电池中，此低光吸收和（），可以作为电极或者窗口一侧的结合层来利用。
为了实现光电转换效率高的太阳能电池，太阳光谱的整合是必要的，太阳能电池材料的禁带宽度Eg为（）左右，认为是最合适的，Eg为（）的GaAS及1.35ev的InP等应该是合适的。
硅电池片的厚度一般为（）。
关于电池型号表示说法错误的是（ ） A、其型号用5位数表示，前两位表示高度，后两位表示直径 B、圆柱18650型电池，表示这种电池的直径为18mm，高度为65.0mm C、方形电池的型号用6位数表示，前两位数表示电池的厚度 D、方形电池用6位数表示，中间两位数表示电池的宽度，最后两位表示电池的长
如果用了热膨胀系数相差为零的基片材料，就会产生剥离。
GAas80／700焊机的冷却水最高温度为（)度。
基片上光刻胶的厚度对后续的曝光没有影响
微晶硅太阳能薄膜电池的厚度通常为2-3um。
国产蓄电池负极板厚度为（)mm;正极板厚度为mm。
集成电路是指以（)晶体材料为基片，采用专门的工艺技术将组成电路的元器件和互连线集成在基片内部、表面或基片之上的微小型化电路或系统。
