中国科学院物理所半导体研究室在（）领导下开展硅材料的研究，于1958年获得中国第一根硅单晶，为中国在1960年正式全面开展半导体硅器件的研制创造了先决条件。
常温下本征半导体硅的禁带宽度为（）eV。
在杂质半导体中，杂质饱和电离区载流子的主要来源是本征激发的载流子。
同种半导体材料在相同温度下电子的迁移率比空穴的迁移率小。
由于本征半导体比杂质半导体纯净，所以，它的导电能力比杂质半导体强得多。
本征半导体在温度T=OK和无光照时，导电能力与（）很接近.
当温度一定时，杂质半导体的费米能级主要由什么因素决定？试把强n，弱n型半导体与强p，弱p半导体的费米能级与本征半导体的费米能级比较。
什么是本征半导体和杂质半导体？
在本征半导体中掺入杂质的目的是（）。
本征半导体在热力学温度T=0K，且无其它外界影响的情况下，其导电能力与（）一样。
在本征半导体中掺入微量五价元素可得到 型杂质半导体，在本征半导体中掺入微量三价元素可得到 型杂质半导体。
Ｐ型半导体又叫（_ _ _)型半导体，它是由本征材料掺入少量的某种化合价为3价的元素制成的，其中多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子
1、本征半导体中的自由电子和空穴数量是相等的。
在本征硅半导体中,掺人浓度为5x10<sup>15</sup>cm<sup>-3</sup>的受主杂质,试指出T=300K时所形成的杂质半导体类型.若再掺人浓度为10<sup>16</sup>cm<sup>-3</sup>的施主杂质,则将为何种类型半导体？若将该半导体温度分别上升到T=500K、600K,试分析为何种类型半导体.
在一定温度下，半导体热平衡时载流子浓度积等于本征载流子浓度的平方，而与掺杂无关。
一、单项选择（每题4分） 1、从能带角度分析绝缘体、导体和半导体，以下说法错误的是（)。 A. 绝缘体一般具有较大的禁带宽度 B. 绝缘体的导电性能差 C. 半导体的禁带宽度大于绝缘体，而小于导体 D. 一般来讲，材料的禁带宽度越大，导电性越差 2、若半导体材料的费米能级高于本征费米能级，则该半导体具体为（)。 A. 本征半导体 B. P型半导体 C. N型半导体 D. 杂质半导体 3、当PN结加反向偏压时，它的耗尽层宽度 ，势垒高度 （)。 A. 变宽，变小 B. 变窄，变大 C. 变窄，变小 D. 变宽，变大 4、 对于单边突变硅n+/p结，耗尽区主要分布在（） A. n+区 B. p区 C. 中性区 D. 扩散区 4、对平衡状态下的PN结，下列说法错误的是（） A. 它的空间电荷区也叫耗尽区 B. 耗尽区存在自由载流子，非电中性 C. 中性区电场强度为零 D. 空间电荷区外部区域称为中性区 5、PN结势垒区电势最低的位置是（）。 A. 靠近P区的势垒区边界 B. 靠近N
在本征半导体中加入少量硼、磷杂质，可使其导电性能显著改变（）
本征半导体的导电能力比杂质半导体的导电能力（） A、 弱 B 、强
5.在本征半导体中掺入微量的杂质（某种元素），形成 。
【单选题】本征半导体中自由电子和空穴的数目
本征半导体中,电子和空穴的浓度相等（）
3、3、若半导体中同时存在施主杂质和受主杂质，且杂质浓度基本相等，则该半导体类似于本征半导体，半导体中的载流子基本由本征激发提供
2、在低于室温的条件下，杂质半导体的载流子浓度主要由 提供？
