85%以上的单晶硅是采用CZ直拉法生长出来的。
第二次世界大战以后，电子工业和半导体工业对超纯材料的要求导致（）及各种单晶制备方法和气相沉积法的出现。
在车削长度与直径比较大的细长轴时，可采用反向进给切削法
下面是直拉法生产单晶硅工艺流程图正确顺序的是（）。
直拉法生长单晶硅拉晶过程有几个主要阶段？（）
直拉单晶中氧含量头部和尾部相比（）。
工业中单晶硅的制备方法主要有（）和区熔法（FZ法）
悬浮物是颗粒直径约在10－4毫米以上的微粒，这种杂质在水中是（）的，很容易除去。
区熔法是20世纪50年代发展起来的，能生产到目前为止最纯的硅单晶，含氧量非常少。
工业界用水主要是两种：（）溶解杂质多、悬浮物多、水质波动大、受污染大，需注意检测和处理；（）水质清洁，有机物、悬浮物少，硬度较高，一般需适当处理。
在处理注入水时，来自地面水源的水总含有一定数量的机械杂质，使用沉淀法来除去悬浮杂质，实践证明，这种分离方法是无效的。
悬浮区熔的优点不包括（）
(1).常采用煎煮法或渗漉法制备的剂型是（）(2).用热熔法、冷熔法或混合法制备的剂型是（）(3).多采用煎煮法制备的剂型是（）(4).大多采用渗漉法制备的剂型是( )
CZ直拉法是按照在20世纪90年代初期它的发明者的名字来命名的。
简述悬浮区熔法检验硅多晶中硼、磷含量的原理.
过滤法主要用于去除污水中的（）、（）及其它悬浮杂质。油污水通过多孔性介质层（即滤料层）时，油滴及其它悬浮物被截留在孔隙中或介质表面上，水从孔隙中流过，从而达到（）的目的。
过滤主要用于去除悬浮颗粒和胶体杂质，特别是用重力沉淀法不能有效去除的微小颗粒。
采用提拉法（CZ法，切克劳斯基法）和区熔法制备的硅片，哪种方法质量更高，为什么？那么目前8英寸以上的硅片，经常选择哪种方式制备，为什么？
利用悬浮杂质、原油和污水的比重差静止或流动状态下实现油、水、渣的自然分离，属于（）含油污水处理法。
下列物质中，采用悬浮法制备的是（）
河流的下游比中、上游河段的水量大，其所能搬运的碎屑颗粒直径也比中、上游河段大。
悬浮物是颗粒直径约在10－4毫米以上的微粒，这种杂质在...
简述制备单晶硅的两种常用方法及常见的单晶晶向。
