在IC芯片生长中浅沟槽隔离技术STI逐渐取代了局部氧化LOCOS所制成的()而成为相邻电子元件的绝缘体

A . 栅氧化层 B . 沟槽 C . 势垒 D . 场氧化层

时间:2022-10-21 00:51:00 所属题库:集成电路制造工艺员(三级)题库

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