二氧化硅生长过程中,当分凝系数小于1时,会使二氧化硅-硅界面处硅一侧的杂质浓度()。

A . 降低 B . 增加 C . 不变 D . 先降低后增加

时间:2022-10-16 13:07:26 所属题库:集成电路制造工艺员(三级)题库

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