有关预饱和技术的描述不正确的是()

A . 可用于各种脉冲序列 B . 最多可放六个饱和带 C . 饱和带越多抑制伪影效果越差 D . 饱和带越多扫描时间越长 E . 饱和带越窄越靠近感兴趣区抑制效果越好

时间:2022-09-29 16:54:05 所属题库:放射学题库

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