变压器低电压试验验收进行介质损耗因数、电容量测量时，测量每一绕组连同套管对地及其余绕组间的介损、电容值，并将测试温度下的介损值换算到（）℃。
在现场测量小电容量试品的介损tgδ值时，使测量结果引入诸多误差的外界因素主要指哪些？
进行电容型试品末屏介损测量时，期试验电压一般不应超过（2）kV。
下列关于电容型设备介质损耗因数和电容量带电检测表述正确的是（）。
相对介质损耗因数和电容量比值检测人员需要了解电容型设备相对介质损耗因数和电容量比值检测仪的（）。
对于相对介质损耗因数和电容量比值检测的仪器需要具备（）两种测量功能。
用QS1型交流电桥测量110kV级以上电流互感器介损tgδ时，当具备电压等级足够的标准电容器时，按正接法测量，试验电压最高可加到（）。
相对介质损耗因数和电容量比值检测，电容量比值与初始测量值比较，变化范围不超过（）。
相对介质损耗因数和电容量比值检测采取绝对测量法时，电压信号应通过（）获取。
测量装在三相变压器上的任一只电容型套管的介损和电容时，相同电压等级的（），将非测量的其他电压等级的绕组三相短路接地，否则会造成较大的误差。
用正接接线方式，测量一台110kV耦合电容器主绝缘介损tgδ，如介损仪的Cx与其耦合电容的末屏（接地小套管）接触不良，影响介损测量结果准确性。
当被试品电容量很小，测量其介损tgδ时，介损仪的高压引线与被试品的杂散电容对测量的影响不可忽视。
测量主绝缘为电容式结构的电流互感器的的介损及电容量时，有末屏的应尽量使用（）进行测量。
用QS1型交流电桥测量110kV及以上电流互感器介损tgδ值时，当具备电压等级足够高的标准电容器时，按正接法测量，试验电压最高可加到（）。
测量CVT分接电容C2的介损和电容量时，C2的“δ”点接介损电桥的高压端，主电容C1高压端接介损电桥的“Cx”端，用正接线法测试。由于“δ”点绝缘水平有限，为保护“δ”，试验电压不超过（）。
进行绝缘介损测量时，当标准电容受潮而有较大介损时会使实测绝缘介损减少。（）
用自激法测量110kV电容式电压互感器介损及电容量，操作不正确的是（）。
油浸式电流互感器采用比较法带电测试tanδ及电容量时，同相设备介损测量差值与初始测量值差值比较，变化范围不超过_A_，电容量比值与初始测量电容量比值比较，变化范围不超过（）。
测量C1与C2相串联的电容式电压互感器绝缘介损时，一般情况下C1＜C2/5，所以测量时主要反映（C1）的介损值。
主变高压套管带电检测，其检测阻抗能否直接串入电容接地线测量。
小电容（小于500PF）试品，主要有电容型套管、电容型电流互感器等，对这些试品采用介损仪正、反接线进行测量，测得的介损tgδ值是一样的。
当变压器电容型套管对地绝阻低于1000MΩ时，应测量末屏对地的介损，加压（）。
套管相对介质介质损耗因数测试的初值宜选择设备停电状态下的电容量合格，带电后立即检测的数值。（)
电容型套管对地末屏的介损及电容量运行中（）年试验一次。
