晶体管延时电路可采用单结晶体管延时电路、不对称双稳态电路的延时电路及MOS型场效应管延时电路三种来实现。
从电路原理受控源的角度本质上看，工作在饱和区的MOS晶体管本质等效为电压控制电流源。
CCD图像传感器是按一定规律排列的MOS电容器组成的阵列。
MOS管D极的功能相当于一般晶体管的集电极。
功率MOS场效应晶体管具有（）、（）和（）。
一号线地铁列车逆变器的IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件，它兼有MOS和晶体管二者的优点，属于电流型驱动器件。
MOS电容的大小取决于哪些参数？
话音质量通常用MOS分来衡量，影响系统MOS分的因数通常有哪些？
为什么说MOS电容的组成复杂？
如何解决MOS器件中的寄生双极晶体管效应？
IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件，它兼有MOS和晶体管二者的优点，属于电压型驱动器件。
MOS工艺包括有哪几种？MOS工艺的重要参数是什么？什么是特征尺寸？
SIM9仿真库中的主要元件有电阻、电容、电感、（）、（）、JFET结型场效应晶体管、MOS场效应晶体管、电压/电流控制开关、熔丝、继电器、互感、TTL和CMOS数字电路元器件、模块电路等
对于处于饱和区的MOS晶体管，漏源电流随其宽长比的增大而增大。
IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件。它兼有MOS和晶体管二者的优点，属电流型驱动器件。
什么是MOS晶体管的有源寄生效应？
8、单结p-i-n结构微晶硅薄膜太阳能电池的本征层中非晶成分的多少对电池的稳定性有很大影响，微晶硅薄膜本征层晶化率越高，电池的稳定性越高，其光致衰退率也越低。（）
28、在片内CMOS单元中，从输出到地的某条支路上存在4个MOS器件，需要使用多少个最小晶体管
图像传感器信号采集原理是基于光、电信号注入后在MOS电容器衬底势阱区（）的电荷量值
对于p型半导体形成的MOS电容结构，当金属端外加负电压时，表面能带向弯曲，表面为状态;对于n型半导体表面能带向弯曲，表面为状态（)。
3、电荷耦合器件的几个工作过程分为（） A．电荷包的产生 B.电荷包耦合 C.电荷包存储 D电荷包检测 E MOS电容器
31、低频时MOS电容的极小值略大于高频时的极小值（）。
1. 以P型半导体作衬底的MOS电容器为例，解释为什么要工作在非稳态才便于实现电荷存储？
动态RAM的基本存储电路，是利用MOS管栅-源极之间电容对电荷的暂存效应来实现信息存储的。为了避免所存信息的丢失，必须定时给电容补充电荷，这一操作称为（）。
