MOS晶体管的本征电容通常是指哪几部分电容?MOS晶体管的寄生电容通常是指哪几部分电容?
由于材料的不均匀使光散射而引起的损耗称为(),它是光纤材料二氧化硅的本征损耗。
为什么n型或p型半导体的本征半导体比本征半导体更易导电?
影响光纤熔接损耗的本征因素有那些?
单模光纤中的偏振模色散引起的内在原因是()和(),它改变()分布,其危害是引起相互垂直的本征偏振的(),造成()。
光纤的本征损耗是否可以避免?它是什么原因造成的?
国内首创采用非晶硅薄膜、晶体硅混合的光伏电池方阵应用在以下哪个项目:()
以硅的本征激发为例,说明半导体能带图的物理意义及其与硅晶格结构的联系,为什么电子从其价键上挣脱出来所需的最小能量就是半导体的禁带宽度?
锗的本征导电能力比硅高()。
闪烁探测器的突出优点在于其本征探测效率高,在同样的形状下,为什么BGO探测器比NaI探测器的本征探测效率高?
如果用N型半导体代替图A-21中的本征半导体,外电路中的电流将比同样尺寸的本征半导体的()。https://assets.asklib.com/psource/2015031208585164143.jpg
N型半导体比相应的本征半导体导电性能好的原因是[ ].
粒子处于一个一维盒子中,盒子长度为L,若粒子处于能量本征值为 的本征态中,求粒子对盒子的壁的
中心力场中,算符的共同征函数为则关于这两个算符的本征值方程正确的式子是()
对于工作在强电场下(达到速度饱和)的本征半导体,决定其迁移率的主要的散射机制是库仑散射。
太阳能电池级的?c-Si是由包含非晶50nm的微晶群体、具有110优先配位的宏观“有效微晶介质”层组成的,薄膜的电学及光电特性的概况由此决定。
试以基态氢原子为例证明:ψ不是的本征函数,而是的本征函数。
自旋态为,S<sub>x</sub>,S<sub>y</sub>,S<sub>z</sub>本征值为的本征态分别为。求:(a)如果在t时刻,测量自旋角动量沿x
8、硅光电池的材料有()等。
证明是线性谐振子的本征波函数,并求此本征态对应的本征能量,式中A为归一化常数,
下列函数哪些是算符的本征函数,其本征值是什么?
微晶硅太阳能薄膜电池的厚度通常为2-3um。
表示沿z方向平移距离口的算符,证明下列形式波函数(Bloch波函数):是Dx (a)的本征念,相应本征值
3、微晶硅薄膜的热丝化学气相沉积方法中,钨丝和钽丝是最常用的两种热丝材料。