大马士革工艺的名字来源于几千年前叙利亚大马士革的一位艺术家发明的一种技术。
时间:2022-11-10
LPCVD紧随PECVD的发展而发展。由660℃降为450℃,采用增强的等离子体,增加淀积能量,即低压和低温。
时间:2022-11-09
集成电路制造就是在硅片上执行一系列复杂的化学或者物理操作。简而言之,这些操作可以分为四大基本类:薄膜制作、刻印、刻蚀和掺杂。
时间:2022-11-08
传统的0.25μm工艺以上的器件隔离方法是硅的局部氧化。
间隙式扩散
时间:2022-11-07
CD是指硅片上的最小特征尺寸。
硼是VA族元素,其掺杂形成的半导体是P型半导体。
时间:2022-11-06
在半导体生产中,湿法腐蚀是最主要的用来去除表面材料的刻蚀方法。
溅射
时间:2022-11-05
各向异性的刻蚀剖面是在所有方向上(横向和垂直方向)以相同的刻蚀速率进行刻蚀。
栅氧一般通过热生长获得。
PECVD(等离子增强CVD)
集成电路是由Kilby和Noyce两人于1959年分别发明,并共享集成电路的专利。
CVD是利用某种物理过程,例如蒸发或者溅射现象实现物质的转移,即原子或分子由源转移到衬底(硅)表面上,并淀积成薄膜。
时间:2022-11-04
APCVD反应器中的硅片通常是平放在一个平面上。