质半导体中，少子浓度主要取决于（）
计算题：已知一个电阻是44Ω，使用时通过的电流是5A，试求电阻两端的电压？已知：R＝44Ω、I＝5A求：U
原子吸收光谱法是基于从光源辐射出待测元素的特征谱线，通过样品蒸气时，被蒸气中待测元素的（）所吸收，由辐射特征谱线减弱的程度，求出样品中待测元素含量。
计算题：如要通过一个定滑轮将一桶质量为50公斤的煤拉上来，已知桶的质量为2公斤，拉起这桶煤至少需要多少公斤的力？
如果有相同的电阻率的掺杂锗和硅半导体，问哪一个材料的少子浓度高，为什么？
当一种n型半导体的少子寿命由直接辐射复合决定时，其小注入下的少子寿命正比于（）
已知一个电容器的电容为8μF，计算在50Hz时的容抗是多少？电压为220V时，计算通过这个电容的电流是多少？
最有效的复合中心能级位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能级位置在（）附近，常见的是少子陷阱。
原子吸收光谱法是基于从光源辐射出（）的特征谱线，通过样品蒸气时，被蒸气中待测元素的基态原子所吸收，由辐射特征谱线减弱的程度，求出样品中待测元素含量。
计算题：某汽轮发电机的额定功率为20万kW，求一个月内该机组发电量为多少kWh？（每月按720h，且按额定功率考虑）。已知：N＝20万kWt＝720h
原子吸收分光光度法是基于从光源辐射出待测元素的特征谱线的光，通过样品的蒸气时，被蒸气中待测元素的（）所吸收
光子传感器是利用某些半导体材料在入射光的照下，产生（）.使材料的电学性质发生变化。通过测量电学性质的变化，可以知道红外辐射的强弱。光子效应所制成的红外探测器。
在P型半导体中空穴是多子，（）是少子。
在19世纪和20世纪之交，科学上有两个关键性的发展，它们看上去似乎有些神秘，与我们的日常生活无关。—个是迈克耳孙和莫雷在1887年做的光速实验，另一个是普朗克在1900 年发现的黑体辐射公式。前者是爱因斯坦狭义相对论的实验依据，后者为量子力学奠定了基础。正是有了相对论和量子力学，20世纪的科技发展，如核能、原子物理、分子束、激光、X射线技术、半导体、超导体、超级计算机等，才得以存在。因此，科学原理应用越广泛，在人们社会生活中的表现形式也越多样化。这段文字意在说明()。
在19世纪和20世纪之交，科学上有两个关键性的发展，它们看上去似乎有些神秘，与我们的日常生活无关。—个是迈克耳孙和莫雷在1887年做的光速实验，另一个是普朗克在1900年发现的黑体辐射公式。前者是爱因斯坦狭义相对论的实验依据，后者为量子力学奠定了基础。正是有了相对论和量子力学，20世纪的科技发展，如核能、原子物理、分子束、激光、X射线技术、半导体、超导体、超级计算机等，才得以存在。因此，科学原理应用越广泛，在人们社会生活中的表现形式也越多样化。这段文字意在说明（）。
什么是N型半导体?N型半导体中多子是什么?少子是什么?
P型杂质半导体、N型杂质半导体多子、少子分别是什么
（1）若均匀掺杂NPN晶体管的参数如下所示，请采用理想晶体管模型计算该晶体管的注入效率、基区输运系数和共射极电流放大系数β0 发射区掺杂浓度NE＝5×10（^18)/CM（^3)，基区掺杂浓度NB＝1×10（^16)/CM（^3) 发射区宽度XE＝0.20μm， 基区宽度XB＝0.10μm 发射区少子扩散系数DE=10CM（^2)/S，基区少子扩散系数DB=25CM（^2)/S 发射区少子寿命τE0＝1×10（^-7)/S， 基区少子寿命τB0＝5×10（^-7)/S （2）实际生产中，工艺必然存在分散性。按照上述参数要求生产一批晶体管，如果不考虑其他参数的分散性，只考虑基区宽度XB分散范围在0.08μm到0.12μm之间，请计算这批晶体管共射极电流放大系数β0值的分散变化范围。
计算题：已知2.5mm<sup>2</sup>的铜导体为7/7/0.25mm的同心复绞线组成，求该铜导体的外径
①前者是爱因斯坦狭义的相对论的实验依据。后者为量子力学奠定了基础 ②它们看上去似乎有些神秘，与我们的日常生活无关 ③正是有了相对论和量子力学，20世纪的科技发展，如核能、原子物理、分子束、激光、X射线技术、半导体、超导体、超级计算机等，才得以存在 ④因此，科学原理应用越广泛，在人们社会生活中的表现形式也越多样化 ⑤一个是迈克耳孙和莫雷在1887年做的光速实验．另一个是普朗克在1900年发现的黑体辐射公式 ⑥在19世纪和20世纪之交，科学上有两个关键性的发展 将以上6个句子重新排列，语序正确的一项是：
【简答题】P型杂质半导体、N型杂质半导体多子、少子分别是什么？
计算题：已知报警器检定过程中各点的样品气和稀释气的流量，并已知通气后各点的显式值（如下图），求此报警器的示值误差及重复性。（样品气甲烷的浓度为29.8%的体积比）
10、任意对称形状的单个导体都可以通过默认另外一个电极在无穷远处，利用电容的定义式进行单个导体电容值的计算。（）
