考虑一个特殊的半导体样品，通过计算，已知少子辐射复合寿命为150μs，俄歇复合寿命为50μs，陷阱复合过程的寿命为25μs，假设没有其它的有效复合过程，那么该材料少子的净寿命是（）
迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度，另一方面取决于迁移率的大小。同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电导率就越高。（）
制约铸造多晶硅材料少子寿命的主要因素不包括（）
如果有相同的电阻率的掺杂锗和硅半导体，问哪一个材料的少子浓度高，为什么？
在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（） ，而多数载流子的浓度则与（）有很大关系。
当一种n型半导体的少子寿命由直接辐射复合决定时，其小注入下的少子寿命正比于（）
血糖及其代谢产物测定中，“主要取决于血糖浓度及血糖与Hb的接触时间”属于（）
结晶质矿物的集合体形态主要取决于（）。
杂质半导体中多数载流子的浓度取决于（）
（）石油颜色的浓度，往往取决于石油中胶质、沥青质的含量。
对于同一种半导体材料其电子浓度和空穴浓度的乘积与（）有关，而对于不同的半导体材料其浓度积在一定的温度下将取决于（）的大小。
产生直接跃迁与间接跃迁的原因主要取决于半导体材料的能带结构。
谷氨酰胺可以顺或者逆电化学梯度穿过质膜，谷氨酰胺进入细胞的速率取决于细胞外的Na+浓度，并且当胞外谷氨酰胺浓度升高时速率会降低。这很有可能是（）。
地下水的酸碱性主要取决于水中H+的浓度，常以PH值来表示。根据地下水中PH值的大小，可将地下水分为（）。
在P型半导体中空穴是多子，（）是少子。
什么是N型半导体?N型半导体中多子是什么?少子是什么?
P型杂质半导体、N型杂质半导体多子、少子分别是什么
◑在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于()。◑A.温度◑B.掺杂工艺◑C.杂质浓度◑D.晶体缺陷
（1）若均匀掺杂NPN晶体管的参数如下所示，请采用理想晶体管模型计算该晶体管的注入效率、基区输运系数和共射极电流放大系数β0 发射区掺杂浓度NE＝5×10（^18)/CM（^3)，基区掺杂浓度NB＝1×10（^16)/CM（^3) 发射区宽度XE＝0.20μm， 基区宽度XB＝0.10μm 发射区少子扩散系数DE=10CM（^2)/S，基区少子扩散系数DB=25CM（^2)/S 发射区少子寿命τE0＝1×10（^-7)/S， 基区少子寿命τB0＝5×10（^-7)/S （2）实际生产中，工艺必然存在分散性。按照上述参数要求生产一批晶体管，如果不考虑其他参数的分散性，只考虑基区宽度XB分散范围在0.08μm到0.12μm之间，请计算这批晶体管共射极电流放大系数β0值的分散变化范围。
1. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 （） A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷
【简答题】P型杂质半导体、N型杂质半导体多子、少子分别是什么？
本征半导体中的自由电子浓度 _空穴浓度（）
2、在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于 。
2、在低于室温的条件下，杂质半导体的载流子浓度主要由 提供？
