在热平衡状态时，P型半导体中的电子浓度和空穴浓度的乘积为常数，它和（）有关
本征半导体温度升高后，自由电子和空穴的变化情况是（）。
温度升高后本征半导体中自由电子与空穴两种载流子浓度将不再相等。
若在本征半导体中掺入某些适当微量元素后，若以空穴导电为主的称（），若以自由电子导电为主的称（）。
说明费米能级的物理意义，根据费米能级位置如何计算半导体中电子和空穴浓度，如何理解费米能级是掺杂类型和掺杂程度的标志。
本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子，但数量很少，导电能力差。在半导体中加入微量三价元素，使空穴增多，形成P型半导体；如掺入少量五价元素，使电子增多，形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___，N型半导体中多数载流子是___；多数载流子的运动称为___，少数载流子的运动称为___。
自由空穴浓度大于自由电子浓度的半导体是（）型半导体
半导体探测器具有非常好的能量分辨率特性和较高的本征探测效率，它的载流子是“电子――空穴对”。哪么产生一个“电子－空穴对”需要的平均电离能是多少？法诺因子的范围是多少？
本征半导体中的自由电子和空穴总是成对出现的，同时产生的。（）
对于同一种半导体材料其电子浓度和空穴浓度的乘积与（）有关，而对于不同的半导体材料其浓度积在一定的温度下将取决于（）的大小。
本征半导体中的自由电子和空穴是成对出现的。（）
本征半导体中，空穴对外呈正电，其电量与电子电量相等。
本征半导体中存在两种载流子：自由电子和空穴
在本征半导体中掺微量的三价元素，就称为P型半导体，其多数载流子是空穴，少数载流子是（________），它主要依靠多数载流子导电。
在本征半导体中，自由电子浓度_______空穴的浓度
Ｐ型半导体又叫（_ _ _)型半导体，它是由本征材料掺入少量的某种化合价为3价的元素制成的，其中多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子
1、本征半导体中的自由电子和空穴数量是相等的。
已知MOS结构的硅衬底费米势大于0，则该材料中的电子浓度大于空穴浓度
一块本征硅半导体,掺人五价元素砷,依度为10<sup>14</sup>cm<sup>-3</sup>试分别求出T=300K、500K时自由电子和空穴的热平衡浓度值,,并指出相应半导体类型.
【单选题】本征半导体中自由电子和空穴的数目
本征半导体中,电子和空穴的浓度相等（）
4、金属材料自由电子浓度很高，输出电压较小，不易做霍尔元件。半导体材料较适合，一般情况下，由于电子迁移率大于空穴迁移率，因此霍尔元件多用N型半导体材料。
3、3、若半导体中同时存在施主杂质和受主杂质，且杂质浓度基本相等，则该半导体类似于本征半导体，半导体中的载流子基本由本征激发提供
8、自由电子-空穴对在本征半导体中是成对出现的。
