温度升高后本征半导体中自由电子与空穴两种载流子浓度将不再相等。
若在本征半导体中掺入某些适当微量元素后，若以空穴导电为主的称（），若以自由电子导电为主的称（）。
同种半导体材料在相同温度下电子的迁移率比空穴的迁移率小。
本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子，但数量很少，导电能力差。在半导体中加入微量三价元素，使空穴增多，形成P型半导体；如掺入少量五价元素，使电子增多，形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___，N型半导体中多数载流子是___；多数载流子的运动称为___，少数载流子的运动称为___。
一定量的理想气体，在体积不变的情况下，当温度升高时，分子的平均碰撞频率和平均自由程的变化情况是（）。
半导体探测器具有非常好的能量分辨率特性和较高的本征探测效率，它的载流子是“电子――空穴对”。哪么产生一个“电子－空穴对”需要的平均电离能是多少？法诺因子的范围是多少？
本征半导体中的自由电子和空穴总是成对出现的，同时产生的。（）
对于同一种半导体材料其电子浓度和空穴浓度的乘积与（）有关，而对于不同的半导体材料其浓度积在一定的温度下将取决于（）的大小。
本征半导体中的自由电子和空穴是成对出现的。（）
本征半导体中，空穴对外呈正电，其电量与电子电量相等。
自由电子和空穴同时参与导电，是半导体导电的基本特征。（）
本征半导体中存在两种载流子：自由电子和空穴
在本征半导体中掺微量的三价元素，就称为P型半导体，其多数载流子是空穴，少数载流子是（________），它主要依靠多数载流子导电。
在本征半导体中，自由电子浓度_______空穴的浓度
Ｐ型半导体又叫（_ _ _)型半导体，它是由本征材料掺入少量的某种化合价为3价的元素制成的，其中多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子
1、本征半导体中的自由电子和空穴数量是相等的。
一块本征硅半导体,掺人五价元素砷,依度为10<sup>14</sup>cm<sup>-3</sup>试分别求出T=300K、500K时自由电子和空穴的热平衡浓度值,,并指出相应半导体类型.
【单选题】本征半导体中自由电子和空穴的数目
本征半导体中,电子和空穴的浓度相等（）
若电子和空穴的浓度分别为n、p，迁移率分别为μn、μp，则半导体的电导为：σ=q（）因为n、p、μn、μp都是依赖（），所以电导是温度的函数，因此可由测量电导而推算出温度的高低，并能做出电阻-温度特性曲线．这就是半导体热敏电阻的工作原理
本征半导体中的自由电子浓度 _空穴浓度（）
光催化是当半导体氧化物纳米粒子受到大于禁带宽度能量的光子照射后，电子从价带跃迁到导带，产生了电子－空穴对，电子具有（)，空穴具有（)。
8、自由电子-空穴对在本征半导体中是成对出现的。
1、本征激发产生的自由电子数目____空穴数目。
