对于同一种半导体材料其电子浓度和空穴浓度的乘积与（）有关，而对于不同的半导体材料其浓度积在一定的温度下将取决于（）的大小。

在热平衡状态时，P型半导体中的电子浓度和空穴浓度的乘积为常数，它和（）有关

温度升高后本征半导体中自由电子与空穴两种载流子浓度将不再相等。

说明费米能级的物理意义，根据费米能级位置如何计算半导体中电子和空穴浓度，如何理解费米能级是掺杂类型和掺杂程度的标志。

N型半导体中，电子数目少于空穴数目，其导电能力主要由空穴决定。P型半导体中，电子数目多于空穴数目，其导电能力主要由电子决定。

对于同一材料的导体，其电阻和长度成正比，与切面成反比

要使LED发光，有源层的半导体材料必须是直接带隙材料，越过带隙的电子和空穴能够直接复合而发射出光子。

对于一定的N型半导体材料，在温度一定时，减小掺杂浓度，费米能级会（）。

对于一定的n型半导体材料，温度一定时，减少掺杂浓度，将导致（）靠近Ei。

P型半导体和N型半导体均可制作光敏电阻，但是通常使用N型半导体材料，这是由于电子的（）比空穴大。

自由空穴浓度大于自由电子浓度的半导体是（）型半导体

如何理解分布函数与状态密度的乘积再对能量积分即可求得电子浓度？

本征半导体中，空穴对外呈正电，其电量与电子电量相等。

本征半导体中存在两种载流子：自由电子和空穴

在本征半导体中，自由电子浓度_______空穴的浓度

已知MOS结构的硅衬底费米势大于0，则该材料中的电子浓度大于空穴浓度

计算含有施主杂质浓度ND=9X 1015cm3及受主杂质浓度为1.1 X 1016cm-3的硅在300k时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。

半导体材料受到应力作用时，其电阻率会发生变化，这种现象称为（）。其是因在外力作用下，原子点阵排列发生变化，导致载流子迁移率及浓度发生变化而形成的，由于半导体（如单晶硅）是各向异性材料，因此它的效应不仅与掺杂浓度、温度和材料类型有关还与晶向（晶面的法线方向）有关。

制造晶体管一般是在高杂质浓度的n型衬底上外延一层n型的外延层，再在外延层中扩散硼、磷而成。①设n型硅单晶衬底是掺锑的，锑的电离能为0.039eV,300k时的E_F位于导带底下面0.026eV处，计算锑的浓度和导带中电子浓度。②设n型外延层杂志均匀分布，杂质浓度为4.6x10¹⁵cm^-3,计算300K时的E_F位置和电子空穴浓度。③在外延层中扩散硼后，硼的浓度分布随样品深度变化。设扩散层某一深度处硼的浓度为5.2x10¹⁵cm^-3,计算300K时E_F位置和电子空穴浓度。④如温度升高到500，计算③中电子空穴的浓度。

一块本征硅半导体,掺人五价元素砷,依度为10¹⁴cm^-3试分别求出T=300K、500K时自由电子和空穴的热平衡浓度值,,并指出相应半导体类型.

本征半导体中,电子和空穴的浓度相等（）

4、金属材料自由电子浓度很高，输出电压较小，不易做霍尔元件。半导体材料较适合，一般情况下，由于电子迁移率大于空穴迁移率，因此霍尔元件多用N型半导体材料。

若电子和空穴的浓度分别为n、p，迁移率分别为μn、μp，则半导体的电导为：σ=q（）因为n、p、μn、μp都是依赖（），所以电导是温度的函数，因此可由测量电导而推算出温度的高低，并能做出电阻-温度特性曲线．这就是半导体热敏电阻的工作原理

本征半导体中的自由电子浓度 _空穴浓度（）

3、（a)p型砷化镓半导体在T = 300 K时的电导率为σ=5/（Ω-cm），求热平衡时的电子和空穴浓度；（b）对电阻率为ρ = 8 Ω-cm的n型硅，重新计算（a)。