NPN型三极管放大电路中，当集电极电流增大时，则晶体三极管（）
根据PNP型晶体三极管的电流分配原理，当处于放大状态时，其基极电流IB、发射极电流IE和集电极电流IC的关系是（）。
对NPN型晶体管，如果在集电极和发射极施加电压，其中集电极为正电压，那么基极内的空穴（）。
在NPN型晶体三极管放大电路中，如果基极与发射极短路，下列哪种说法正确（）。
对于NPN型晶体管共发射极电路，当增大发射结偏置电压Ube时，其输入电阻也随之增大。
在NPN型晶体管放大电路中，如果集电极与基极短路，则（）
对NPN型晶体管，如果在集电极和发射极施加电压，其中集电极为正电压，那么发射极内的自由电子（）。
用直流电压表测量NPN型晶体管电路，晶体管各极对地电压是仉=4．7v，以=4V，阢=4．3V，则该三极管处于（）状态。
如何用万用表判定晶体管是PNP或NPN型？
在正向AGC电路中，若受控级的晶体管是PNP型三极管，则AGC电压应是（）。
在电气原理图中，NPN型晶体三极管的代表符号是（）。
由NPN型晶体三极管组成的共发射极放大电路，现若放大电路静态工作点选的过高，信号容易出现（）失真。
标准双极型工艺中的纵向NPN晶体管的发射区掺杂浓度比集电区小。
在NPN型晶体管放大电路中，如果基极与发射极短路，则（）。
用直流电压表测量NPN型晶体管电路，晶体管各极对地电压是Ub＝4.7V，Ue＝4V，UC、＝4.3V，则该三极管处于（）状态。
用直流电压表测量NPN型晶体管电路，晶体管各极对地电压是Ub=4．7V，Ue=4V，Uc=4．3V，则该三极管处于（）状态。
在NPN型晶体三极管放大器中,若基极与发射极短路,则晶体三极管()。
集电极开路时发射结击穿电压表示为VEBO。对于标准双极型工艺制造的NPN晶体管，VEBO大约（)左右。A
PNP和NPN型晶体三极管具有几乎等同的特性，只不过各电极端的电压极性和电流流向不同而巳（）
在由NPN型晶体管构成的固定偏置单管放大电路中,静态工作点的位置太高引起的失真是( )。
三极管的结构NPN型和PNP型晶体管的区别是（）
晶体管的类型分成PNP和NPN型。（)
9、9、 在放大电路中的晶体管， 其电位最高的一个电极是（）。 A. PNP管的集电极 B. PNP管的发射极 C. NPN管的发射极
