抛光片的电学参数包括电阻率，载流子浓度，迁移率，直径、厚度、主参考面等。（）

说明本征锗和硅中载流子迁移率随温度增加如何变化？

迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度，另一方面取决于迁移率的大小。同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电导率就越高。（）

半导体材料的电阻率与载流子浓度有关，同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电阻率（）

电化学分析法中，将被测物质的浓度转变成电学参数的变换器是（）。

对于仅含一种杂质的锗样品，如果要确定载流子符号、浓度、迁移率和有效质量，应进行哪些测量？

电化学分析法中，将被测物质的浓度转变成电学参数的变换器是（）

光敏电阻吸收了光量子能量，使得载流子迁移率增加，导致电导率增加。

在太空的空间实验室里生长的GaAS具有很高的载流子迁移率，是因为这样的材料（）。

目前国外气井腐蚀监测主要通过电阻、电势、磁场强度等电学参数腐蚀介质、pH值等化学参数、电化学参数、环境参数的测量等，通过建立平衡态模型对腐蚀作出预测。

在电解质分析仪中，将被测物质的浓度转变成电学参数的变换器是（）。

抛光片的质量检测项目包括：几何参数，直径、（）、主参考面、副参考面、平整度、弯曲度等；（），电阻率，载流子浓度，迁移率等；晶体质量，晶向，位错密度。

制作霍尔元件应采用的材料是半导体材料，因为半导体材料能使截流子的迁移率与电阻率的乘积最大，而使两个端面出现（）差最大。

载流子迁移率的量纲是（）

载流子迁移率（μ）的单位是（）。

在恒定光照产生非平衡载流子时，即使存在复合率，体系最终的非平衡载流子浓度也可以达到一稳定值。

试从图4-14求室温时杂质浓度分别为10¹⁵，10¹⁶，10¹⁷cm^-3的p型和n型Si样品的空穴和电子迁移率，并分别计算它们的电阻率。再从图4-15分别求它们的电阻率。

半导体材料受到应力作用时，其电阻率会发生变化，这种现象称为（）。其是因在外力作用下，原子点阵排列发生变化，导致载流子迁移率及浓度发生变化而形成的，由于半导体（如单晶硅）是各向异性材料，因此它的效应不仅与掺杂浓度、温度和材料类型有关还与晶向（晶面的法线方向）有关。

若电子和空穴的浓度分别为n、p，迁移率分别为μn、μp，则半导体的电导为：σ=q（）因为n、p、μn、μp都是依赖（），所以电导是温度的函数，因此可由测量电导而推算出温度的高低，并能做出电阻-温度特性曲线．这就是半导体热敏电阻的工作原理

发光二极管的主要参数包括电学和学两类参数

有一块半导体材料的寿命是lus，无光照的电阻率是10Ω·cm。今用光照射，光被半导体均匀吸收，电子-空穴的产生率是10²²cm^-3·s^-1，试计算光照下样品的电阻率，并求电导中少数载流子的贡献占多少比例？

4、关于“载流子的迁移率”，以下说法正确的是：

分解检修，绕组无短路、断路。电枢、（）清洗烘干后浸绝缘漆，绝缘电阻值应大于（）MΩ。整流子抛光

2、输运方程由电子电流密度和空穴电流密度构成，当载流子的迁移率和扩散系数确定以后，漂移电流取决于（）。