半导体材料的电阻率与载流子浓度有关，同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电阻率（）
表示导体导电能力的物理参数是（）
本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子，但数量很少，导电能力差。在半导体中加入微量三价元素，使空穴增多，形成P型半导体；如掺入少量五价元素，使电子增多，形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___，N型半导体中多数载流子是___；多数载流子的运动称为___，少数载流子的运动称为___。
P型半导体空穴数远多于自由电子数，这些空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子，导电能力主要靠空穴，称为空穴型半导体，简称（）。
硅半导体的导电过程存在（）和空穴两种载流子。
N型半导体导电主要依靠的载流子是（）。
半导体中参与导电载流子是（）
P类半导体中，参加导电的多数载流子是（）。
半导体材料导电能力的大小，由半导体内载流子的数目决定。
N型半导体自由电子数远多于空穴数，这些自由电子是多数载流子，而空穴是少数载流子，导电能力主要靠自由电子，称为电子型半导体，简称（）。
反映半导体中载流子导电能力的一个重要参数是（）。
部类半导体中，参加导电的多数载流子是（）。
在本征半导体中掺微量的三价元素，就称为P型半导体，其多数载流子是空穴，少数载流子是（________），它主要依靠多数载流子导电。
半导体三极管有（）载流子同时参与导电。
半导体BJT三极管有（ ）载流子同时参与导电。
◑在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于()。◑A.温度◑B.掺杂工艺◑C.杂质浓度◑D.晶体缺陷
在一定温度下，半导体热平衡时载流子浓度积等于本征载流子浓度的平方，而与掺杂无关。
化合物半导体太阳能电池材料的重要特性参数有（);（)、数载流子移动度i以及扩散长度L，特别是在太阳能电池中，复合效果也是重要的参数。
半导体材料受到应力作用时，其电阻率会发生变化，这种现象称为（）。其是因在外力作用下，原子点阵排列发生变化，导致载流子迁移率及浓度发生变化而形成的，由于半导体（如单晶硅）是各向异性材料，因此它的效应不仅与掺杂浓度、温度和材料类型有关还与晶向（晶面的法线方向）有关。
1. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 （） A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷
半导体的导电特性及PN结P型半导体中少数载流子是（）
半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间，也称半绝缘体（）
7、在N型半导体中参与导电的多数载流子是自由电子。
27、半导体中，电子和空穴都参与导电，都是载流子。
