802.11、802.11b、802.11a、802.11b、802.11n的最高理论数率分别为（）。
当P型半导体和N型半导体联结在一起时，在它们交界处要发生电子和空穴的（）。
两个电容器分别为3μF和6μF相串联，若外加正弦交流电压为12伏，则3μF电容器的压降为（）。
以长声学波为主要散射机构时，电子的迁移率μn与温度的（）
可晶闸管最外的P层和N层引出两个极，分别为（）。
用单杠杆差压变送器测量水位时，若锅炉允许的最高和最低水位差是600mm水柱，负迁移后当水位达到最高水位时，测量信号△P及变送器的输出P出分别为（）
两个电容器分别为3μF和6μF相串联，若外加正弦交流电压为12V，则3μF电容器的压降为（）。
P型半导体和N型半导体均可制作光敏电阻，但是通常使用N型半导体材料，这是由于电子的（）比空穴大。
地下采空区移动盆地中在同一直线上的三点分别为M、N、P，三点依次的间距为MN=27m，NP=36m，M、N、P三点的监测资料如下：三点的垂直移动分量分别为302mm、146mm、72mm；三点的水平移动分量分别为56mm、32mm、18mm，MP间的水平变形及N点的曲率半径分别为（）。
待测水样中铁含量估计为1mg/L，已有一条浓度分别为100，200，300，400，500μg/L标准曲线，若选用10cm的比色皿，水样应该如何处理（）？(a＝190L/g·cm)
802.11、802.11802.11802.11802.11n的最高理论数率分别为（)。
两个有限长序列x1（n）和x2（n），长度分别为N1和N2，若x1（n）与x2（n）循环卷积后的结果序列为x（n），则x（n）的长度为（）。
如图所示，折射率为n 2 ，厚度为 e 的透明介质薄膜的上方和下方的透明介质折射率分别为n 1 和n 3 ，且n 1 < n 2 ，n 2 >n 3 ，若波长为 λ 的平行单色光垂直入射在薄膜上，则上下两个表面反射的两束光的光程差为http://p.ananas.chaoxing.com/star3/origin/5bb4d43610521f88c4db871ae27059ed.gif
总体X服从期望为μ，标准差为σ的正态分布；从总体中取n个样本，这n个样本均值的期望值E和方差D分别为：
设随机变量X N(2,4),则E(4X+2)和D(4X+2)分别为（ ）。/ananas/latex/p/173
从一个正态总体中随机抽取一个容量为n的样本，其均值和标准差分别为33和4。当n=25时，构造总体均值μ的95％的置信区间为()。
设X1，X2，…，Xn是来自正态总体N（0,σ2)的样本，分别是样本均值和样本方差，若n=17，则当k=______时，P（≥μ+kS)=0.95
试从图4-14求室温时杂质浓度分别为10<sup>15</sup>，10<sup>16</sup>，10<sup>17</sup>cm<sup>-3</sup>的p型和n型Si样品的空穴和电子迁移率，并分别计算它们的电阻率。再从图4-15分别求它们的电阻率。
设为取自总体X的一个样本,总体X~N（μ, σ<sup>2</sup>),分别为样本均值和样本方差，求常数k使得。
如题8-20图所示，螺线管的管心是两个套在一起的同轴圆柱体，其截面积分别为S<sub>1</sub>和S<sub>2</sub>，磁导率分别为μ<sub>1</sub>和 μ<sub>2</sub>，管长为l，匝数为N，求螺线管的自感，(设管的截面很小)
假定两个总体的标准差分别为:σ<sub>1</sub>=12, σ<sub>2</sub>=l5, 若要求误差范围不超过5,相应的置信水平为95%，假定n<sub>1</sub>=n<sub>2</sub>，估计两个总体均值之差（μ<sub>1</sub>-μ<sub>2</sub>)时所需的样本量为多大？
4、金属材料自由电子浓度很高，输出电压较小，不易做霍尔元件。半导体材料较适合，一般情况下，由于电子迁移率大于空穴迁移率，因此霍尔元件多用N型半导体材料。
已知电子商务网站评价指标体系中某个二级指标有四个三级指标（分别用M、N、P、Q表示），假设已经确定这四个三级指标的重要性和影响力的大小排序为：M<N<P<Q，则M、N、P、Q的权系数可以分别为（）
3、（a)p型砷化镓半导体在T = 300 K时的电导率为σ=5/（Ω-cm），求热平衡时的电子和空穴浓度；（b）对电阻率为ρ = 8 Ω-cm的n型硅，重新计算（a)。
