当施主能级ED与费米能级EF相等时，电离施主的浓度为施主浓度的（）倍。
说明费米能级的物理意义，根据费米能级位置如何计算半导体中电子和空穴浓度，如何理解费米能级是掺杂类型和掺杂程度的标志。
什么是金属晶体的费米（Fermi）能级？
半导体本征载流子浓度的表达式及其费米能级
若n型硅中掺入受主杂质，费米能级升高还是降低？若温度升高当本征激发起作用时，费米能级在什么位置，为什么？
如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央，则它对电子的俘获率（）空穴的俘获率。
在半导体计算中，经常应用这个条件把电子从费米能级统计过渡到玻耳兹曼统计，试说明这种过渡的物理意义。
费米能级
对于一定的N型半导体材料，在温度一定时，减小掺杂浓度，费米能级会（）。
一般情况下，P型半导体的费米能级（）N型半导体的能级。
表面态中性能级位于费米能级以上时，该表面态为（）；
当温度一定时，杂质半导体的费米能级主要由什么因素决定？试把强n，弱n型半导体与强p，弱p半导体的费米能级与本征半导体的费米能级比较。
在温度T=300K，比费米能级高3KT的能级被电子占据的几率为。（）
费米能级Ef的意义是电子占据率为（）时所对应的能级。
N型半导体的费米能级在本征费米能之上。
费米能级离导带底越近，该半导体的电子浓度越高。
12、半导体的掺杂浓度越高，其费米能级的位置也越高
费米－狄拉克分布函数预测：远远低于费米能级的位置其电子占据的几率趋向于（)。
以下关于“费米能级的变化”说法正确的是：()。
一、单项选择（每题4分） 1、从能带角度分析绝缘体、导体和半导体，以下说法错误的是（)。 A. 绝缘体一般具有较大的禁带宽度 B. 绝缘体的导电性能差 C. 半导体的禁带宽度大于绝缘体，而小于导体 D. 一般来讲，材料的禁带宽度越大，导电性越差 2、若半导体材料的费米能级高于本征费米能级，则该半导体具体为（)。 A. 本征半导体 B. P型半导体 C. N型半导体 D. 杂质半导体 3、当PN结加反向偏压时，它的耗尽层宽度 ，势垒高度 （)。 A. 变宽，变小 B. 变窄，变大 C. 变窄，变小 D. 变宽，变大 4、 对于单边突变硅n+/p结，耗尽区主要分布在（） A. n+区 B. p区 C. 中性区 D. 扩散区 4、对平衡状态下的PN结，下列说法错误的是（） A. 它的空间电荷区也叫耗尽区 B. 耗尽区存在自由载流子，非电中性 C. 中性区电场强度为零 D. 空间电荷区外部区域称为中性区 5、PN结势垒区电势最低的位置是（）。 A. 靠近P区的势垒区边界 B. 靠近N
费米-狄拉克分布函数预测：远远低于费米能级的位置其电子占据的几率趋向于（）
19、本征激发占主导地位时，非简并半导体的费米能级趋于禁带的中线位置。
