碱性氯化铜蚀刻液中氯化铵浓度偏低时，蚀刻速率慢，溶液稳定性差。
碱性蚀刻中蚀刻不足可能是喷淋压力不足造成，其解决方式为（）。
蚀刻过程中为使加速蚀刻反应正向进行的措施有（）。
侧蚀程度的大小与蚀刻液的种类、组成和所使用的蚀刻工艺及设备有关。
属于酸性蚀刻液再生的方法有（）。
酸性氯化铜蚀刻液的再生的最好的方法是双氧水再生法。
板子在蚀刻机内部进行蚀刻时，其位置放置形式有（）。
在酸性氯化铜蚀刻液体系的再生方法中，由于氯气是强氧化剂，直接通氯气是再生的最好方法。是因为（）。
湿法蚀刻时蚀刻液的腐蚀是各向同性的，腐蚀发生在和溶液接触的各个方面。
在蚀刻过程中，添加某些添加剂可以降低侧蚀程度。
酸性氯化铜蚀刻液用于蚀刻单面板和多层板的内层。
晶体硅片蚀刻清洗的生产工艺有酸性蚀刻和碱性蚀刻两种，其中酸性蚀刻是采用（）和硝酸的混合溶液，醋酸和磷酸当缓冲剂，一般去除约10-20µm厚的表面层。
蚀刻温度对蚀刻速率的影响是随着温度的升高，蚀刻速率加快。
碱性氯化铜蚀刻液的再生的最常用的方法是空气再生法。
鼓泡式蚀刻和浸泡式蚀刻的不同之处在于（）。
终端铭牌标志应清晰，可采用自动喷码或激光蚀刻等方式；不允许采用不干胶进行粘贴，在使用寿命内不应褪色。
在印制板的蚀刻操作中，希望有较高的蚀刻系数。
在碱性氯化铜蚀刻中，造成蚀刻不足的原因可能有（）。
随着蚀刻反应的不断进行，蚀刻液中铜的含量会逐渐增加。
碱性蚀刻液再生方法有（）。
在湿法蚀刻中，侧蚀是不可避免的，所以镀层突沿总是存在的。
干法蚀刻通常指利用辉光放电方式，产生等离子体来进行图案转移的蚀刻技术。其中等离子体含有（）。
酸性氯化铜蚀刻若操作体系的温度太高，会使（）。
在碱性氯化铜蚀刻中，造成蚀刻过度的原因可能有（）。
