半导体光检测器主要有两类：PIN光电二极管和雪崩光电二极管（APD） APD管由于其灵敏度比较高一般为__dBm左右,适用于长距离传送
常用的光电检测器有光电二极管（PIN）和雪崩光电二极管（APD）两种。
某光电二极管的的响应速度R=0．65A/w，接收波长为1550nm，则此光电二极管的量子效率为（）。
基于光生伏特效应的光电器件有光电二极管、光电三极管和光电池。
为了使雪崩光电二极管正常工作，应在其P-N结上加（）。
雪崩光电二极管（APD）具有（）
光纤通信中最常见的光电检测器是（）和雪崩光电二极管。
齐纳二极管和雪崩二极管具有相似的伏安特性，该特性分为三个区，即（）。
采用硅材料的雪崩式光电二极管的响应波长范围（）。
某光电二极管的的响应速度R=0．8A/w，接收波长为1550nm，则此光电二极管的量子效率为（）。
采用硅和锗材料的雪崩光电二极管的响应波长范围分别为0.5~1.5μm和1~1.5μm
雪崩光电二极管（APD）利用（）使光电流得到倍增。
为了实现均匀倍增，雪崩光电二极管衬底掺杂材料要求（）。
雪崩光电二极管不但具有（）转换作用，而且还具有内部放大作用。
光接收器件主要有发光二极管（LED）和雪崩光电二极管（APD）。
通常用量子效率来表征光生电子流与入射光子流的比值大小。
雪崩光电二极管
某PIN光电二极管的量子效率η=70%，接收波长为1550nm，则此光电二极管的响应速度Ｒ为（）。
已知某Si－PIN光电二极管的响应度R0=0.5 A／W，一个光子的能量为2.24×10－19 J，电子电荷量为1.6已知某Si-PIN光电二极管的响应度R0=0.5 A/W，一个光子的能量为2.24×10-19 J，电子电荷量为1.6×10-19 C，则该光电二极管的量子效率为()
画出雪崩光电二极管的各个区的电场分布示意图，并说明各区的作用。
用波长为0.83μm，强度为3mW的光照射在硅光电池，设其反射系数为15%，量子效率为1，并设全部光生载流子能到达电极。 （1）求光生电流； （2）当反向饱和电流为10-8A时，求T=300K时的开路电压。
9、光电效应根据电特性变化的不同可以分为外光电效应、光导电效应和光生伏特效应。
雪崩二极管将直流功率转换为微波功率的效率通常远远低于理论值，其原因有哪些？
4、1. 描述了光照射到电池的某个区域产生的载流子被pn结收集并参与到电流流动的概率，它的大小取决于光生载流子需要运动的距离和电池的表面特性。
