当施主能级ED与费米能级EF相等时，电离施主的浓度为施主浓度的（）倍。
说明费米能级的物理意义，根据费米能级位置如何计算半导体中电子和空穴浓度，如何理解费米能级是掺杂类型和掺杂程度的标志。
什么是金属晶体的费米（Fermi）能级？
半导体本征载流子浓度的表达式及其费米能级
若n型硅中掺入受主杂质，费米能级升高还是降低？若温度升高当本征激发起作用时，费米能级在什么位置，为什么？
在半导体计算中，经常应用这个条件把电子从费米能级统计过渡到玻耳兹曼统计，试说明这种过渡的物理意义。
（）是物质粒子数按能级分布的基本规律，它反映了物质中电子按一定规律占据（）。
费米能级
同一电子能级，振动态变化时所产生的光谱波长范围是（）
一般情况下，P型半导体的费米能级（）N型半导体的能级。
表面态中性能级位于费米能级以上时，该表面态为（）；
当温度一定时，杂质半导体的费米能级主要由什么因素决定？试把强n，弱n型半导体与强p，弱p半导体的费米能级与本征半导体的费米能级比较。
N型半导体的费米能级处于禁带（）。
在温度T=300K，比费米能级高3KT的能级被电子占据的几率为。（）
N型半导体的费米能级在本征费米能之上。
费米能级离导带底越近，该半导体的电子浓度越高。
12、半导体的掺杂浓度越高，其费米能级的位置也越高
费米－狄拉克分布函数预测：远远低于费米能级的位置其电子占据的几率趋向于（)。
计算含有施主杂质浓度ND=9X 1015cm3及受主杂质浓度为1.1 X 1016cm-3的硅在300k时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。
以下关于“费米能级的变化”说法正确的是：()。
费米-狄拉克分布函数预测：远远低于费米能级的位置其电子占据的几率趋向于（）
当费米能级低于导带极值的能量＞＞K0T时，以下描述正确的是（）
