说明费米能级的物理意义，根据费米能级位置如何计算半导体中电子和空穴浓度，如何理解费米能级是掺杂类型和掺杂程度的标志。
半导体本征载流子浓度的表达式及其费米能级
若n型硅中掺入受主杂质，费米能级升高还是降低？若温度升高当本征激发起作用时，费米能级在什么位置，为什么？
在半导体计算中，经常应用这个条件把电子从费米能级统计过渡到玻耳兹曼统计，试说明这种过渡的物理意义。
怎样区分N型半导体和P型半导体（）
对于一定的N型半导体材料，在温度一定时，减小掺杂浓度，费米能级会（）。
P型半导体和N型半导体均可制作光敏电阻，但是通常使用N型半导体材料，这是由于电子的（）比空穴大。
二极管的阳极从N型半导体引出，阴极从P型半导体引出。
当温度一定时，杂质半导体的费米能级主要由什么因素决定？试把强n，弱n型半导体与强p，弱p半导体的费米能级与本征半导体的费米能级比较。
N型半导体的费米能级处于禁带（）。
不论P型半导体还是N型半导体，就半导体器件来说都是带电的。
N型半导体，P型半导体中的多数载流子性质不同，N型半导体带负电，而P型半导体带正电，所以PN结形成内电场。
N型半导体的费米能级在本征费米能之上。
P型半导体材料中 P型半导体材料中多数载流子是（ ），N型半导体材料中多数载流子是（ ）。多数载流子是（ ），N型半导体材料中多数载流子是（ ）。
费米能级离导带底越近，该半导体的电子浓度越高。
26、P型半导体带正电，N型半导体带负电
12、半导体的掺杂浓度越高，其费米能级的位置也越高
什么是N型半导体？什么是P型半导体？
3、由于P型半导体中含有大量空穴载流子，N型半导体中含有大量电子载流子，所以P型半导体带正电，N型半导体带负电。
N型半导体的功函数肯定比P型半导体大
N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同，N型半导体带负电， 而P型半导体带正电，所以PN结形成内电场。此题为判断题(对，错)。
一、单项选择（每题4分） 1、从能带角度分析绝缘体、导体和半导体，以下说法错误的是（)。 A. 绝缘体一般具有较大的禁带宽度 B. 绝缘体的导电性能差 C. 半导体的禁带宽度大于绝缘体，而小于导体 D. 一般来讲，材料的禁带宽度越大，导电性越差 2、若半导体材料的费米能级高于本征费米能级，则该半导体具体为（)。 A. 本征半导体 B. P型半导体 C. N型半导体 D. 杂质半导体 3、当PN结加反向偏压时，它的耗尽层宽度 ，势垒高度 （)。 A. 变宽，变小 B. 变窄，变大 C. 变窄，变小 D. 变宽，变大 4、 对于单边突变硅n+/p结，耗尽区主要分布在（） A. n+区 B. p区 C. 中性区 D. 扩散区 4、对平衡状态下的PN结，下列说法错误的是（） A. 它的空间电荷区也叫耗尽区 B. 耗尽区存在自由载流子，非电中性 C. 中性区电场强度为零 D. 空间电荷区外部区域称为中性区 5、PN结势垒区电势最低的位置是（）。 A. 靠近P区的势垒区边界 B. 靠近N
4、金属材料自由电子浓度很高，输出电压较小，不易做霍尔元件。半导体材料较适合，一般情况下，由于电子迁移率大于空穴迁移率，因此霍尔元件多用N型半导体材料。
19、本征激发占主导地位时，非简并半导体的费米能级趋于禁带的中线位置。
