霍尔式传感器的基本原理是：当电流流过放在磁场中的半导体基片，且电流方向与磁场方向垂直上，电荷在洛伦兹力作用下向一侧偏移，在（）电流与磁场的半导体基片的横向侧面上，将产生一个（）。
导体通过交流电流时，导体截面处的电流密度一样。
按经济电流密度选择导体截面时，如无合适规格导体时，导体面积可按经济电流密度计算截面的相邻（）选取。
霍尔式传感器的基本原理是：当电流流过放在磁场中的半导体晶片，且电流、磁场、晶片相互垂直时，在洛伦兹力作用下半导体基片上将产生一个（）。
当二极管加反向电压时，二极管将有很小的反向电流流过，这个反向电流是由P型和N型半导体中少数载流子的漂移运动产生的。
发光二极管通常用砷化镓、磷化镓等半导体材料制成，它在通过（）电流时会发光，发光的颜色取决于所用的材料，可发出红、黄绿及红外光等。
下列描述中不属于本征半导体的基本特征是（）。
集肤效应指交流电通过导体时，导体截面上各处电流分布（），导体中心处电流密度最（），越靠近导体表面电流密度越（）。
高频电流流过环状导体时，最大电流密度分布在环状导体内侧。（）
在安全监测系统中，为防止非本安型电流或电压串入井下，破坏井下设备本质安全性能，必须采取（）。
一根导体在如下图中的磁场中匀速向下移动，移动速度V=1米/秒，已知该导体在磁场中的长度L=1米，该磁场的磁通密度B=0.9T，求导体感应电动势的大小？https://assets.asklib.com/psource/2016020215521459254.jpg
如果导体中的电流为1安培，这表示在1秒钟内通过导体横截面积的（）是1库仑。
已知导体的横截面积是4mm2，1分钟通过它的电量是36库仑，则导体中电流是（）安，电流密度是（）A/mm2。
如果用N型半导体代替图A-21中的本征半导体，外电路中的电流将比同样尺寸的本征半导体的（）。https://assets.asklib.com/psource/2015031208585164143.jpg
电流的大小取决于在一定时间内通过导体截面的电荷量的多少。
电路中的电流强度取决于光子密度吗?
1、本征半导体中的自由电子和空穴数量是相等的。
一根导体在如下图中的磁场中匀速向下移动，移动速度v=1米/秒，已知该导体在磁场中的长度l=1米，该磁场的磁通密度b=0.9t，求导体感应电动势的大小？
按经济电流密度选择硬导体截面(J＝1.65A/2)应为()mm2。
1. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 （） A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷
4、4. 当晶体中杂质含量增加时，非本征扩散与本征扩散的温度转折点（)
3、3、若半导体中同时存在施主杂质和受主杂质，且杂质浓度基本相等，则该半导体类似于本征半导体，半导体中的载流子基本由本征激发提供
12、晶体化合物中，非本征缺陷少，因此非本征扩散是次要机制
导体中的电流取决于（）。
