抑制性突触后电位产生的离子机制是（）。
兴奋性与抑制性突触后电位相同点是（）
突触后电位包括兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位。关于突触后电位的特征，下列哪项是错误的（）。
兴奋性与抑制性突触后电位相同点是（）。
抑制性突触后电位是由于突触后膜出现了去极化。
抑制性突触后电位能抑制运动神经元是因为（）。
产生抑制性突触后电位（IPSP）的主要机制是（）
可产生抑制性突触后电位的离子基础是（）
突触后电位包括兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位。关于突触后电位的特征，下列哪项是错误的（）
下列哪些为兴奋性突触后电位与抑制性突触后电位的共同特征（）。
引起抑制性突触后电位的是由于（）
抑制性突触后电位产生的离子机制是（）
抑制性突触后电位的产生，是由于突触后膜对下列哪些离子的通透性增高？
抑制性突触后电位的产生，是由于突触后膜提高了下列哪种离子的通透性？
抑制性突触后电位是指突触后膜发生局部去极化。
抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子的通透性增加所致()
抑制性突触后电位的形成其突触后膜出现（）
突触前抑制的轴一体突触处，突触后电位变化特征为兴奋性突触后电位绝对值增大 B．兴奋性突触后电位绝对突触前抑制的轴一体突触处，突触后电位变化特征为兴奋性突触后电位绝对值增大 B．兴奋性突触后电位绝对值减小 C．抑制性突触后电位绝对值减小 D．抑制性突触后电位绝对值增大 E．突触后电位变化不大
抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种的离子通透性增加所致（）
抑制性突触后电位在突触后电位变化呈现（）
抑制性突触后电位抑制性突触后电位（）
