产生抑制性突触后电位（IPSP）的主要机制是（）

A . Na 内流 B . K 内流 C . Ca 内流 D . Cl 内流 E . K 外流

A . 电位大小随刺激的强度改变B.有时间总和 B . 有空间总和 C . 是"全或无"的 D . 以电紧张方式扩布

A . Na B . Ca C . K 、Cl ，尤其是Cl D . Na 、K 、Cl ，尤其是K E . Na 、K 、Cl ，尤其是Na

A . A．Cl通道开放可降低IPSP B . B．多由抑制性中间神经元发放的冲动产生 C . C．IPSP常由抑制性递质与突触后膜上的受体结合产生超极化 D . D．IPSP使神经元的兴奋性增加 E . E．IPSP主要是抑制性神经递质与突触后膜受体结合后增加后者对K和Cl的通透性有关

A . Cl 通道开放可降低IPSP B . 多由抑制性中间神经元发放的冲动产生 C . IPSP常由抑制性递质与突触后膜上的受体结合产生超极化 D . IPSP使神经元的兴奋性增加 E . IPSP主要是抑制性神经递质与突触后膜受体结合后增加后者对K 和Cl 的通透性有关

A . 进入突触前末梢Ca 量减少 B . 突触前末梢递质释放量减少 C . 抑制-兴奋性中间神经元 D . 兴奋-抑制性中间神经元 E . 突触后膜去极化程度减小

A . A、钠离子 B . B.钾离子 C . C.钙离子 D . D.氯离子

A . 突触前轴突末梢超极化 B . 突触后膜对Ca 、K 的通透性增大 C . 突触后膜去极化 D . 突触后膜电位负值增大，出现超极化 E . 突触后膜对K 、Na ，尤其是K 的通透性增大

A . K B . H C . Ca D . Cl E . Na

A . A、Cl— B . B、K+ C . C、Na+ D . D、Fe2+ E . E、Ca2+

A . 电位大小随刺激的强度改变 B . 有时间总和 C . 有空间总和 D . 是"全或无"的 E . 以电紧张方式扩布

A . A．突触前轴突末梢超极化 B . B．突触后膜对Ca、K的通透性增大 C . C．突触后膜去极化 D . D．突触后膜电位负值增大，出现超极化 E . E．突触后膜对K、Na，尤其是K的通透性增大

A . Na 内流 B . K 内流 C . Ca 内流 D . CI 内流 E . K 外流

A．突触后膜膜内电位升高 B．Ca²⁺由膜外进入突触前膜内 C．突触后膜对Cl^-通透性升高 D．突触小泡释放递质,并与后膜受体结合

A．兴奋性突触后电位绝对值增大 B．兴奋性突触后电位绝对值减小 C．抑制性突触后电位绝对值减小 D．抑制性突触后电位绝对值增大 E．突触后电位变化不大

A．多由抑制性中间神经元返回的冲动产生 B．Cl-通道开放可降低IPSP C．IPSP常由乙酰胆碱受体通道传递 D．IPSP使神经元的兴奋性增加 E．神经元产生去极化性抑制

A．Na+、Cl-、K+，尤其是K+ B．Ca2+、K+、Cl-，尤其是Ca2+ C．Na+、K+，尤其是Na+ D．Cl-，尤其是Cl-