兴奋性突触后电位的产生,是由于突触后膜提高了对下列哪种离子的通透性()
突触后电位包括兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位。关于突触后电位的特征,下列哪项是错误的()。
突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位()。
产生兴奋性突触后电位与后膜对哪种离子通透性增加有关()
产生抑制性突触后电位(IPSP)的主要机制是()
突触后抑制的产生机制是()
能使突触后膜通透性改变,产生兴奋性突触后电位的主要离子是()
关于抑制性突触后电位的产生过程,正确的是()
可产生抑制性突触后电位的离子基础是()
抑制性突触后电位的形成主要与下列哪种离子有关()
突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位()
关于抑制性突触后电位的产生过程,正确的是()
抑制性突触后电位产生的离子机制是()
抑制性突触后电位的产生,是由于突触后膜对下列哪些离子的通透性增高?
抑制性突触后电位的产生,是由于突触后膜提高了下列哪种离子的通透性?
突触后抑制的产生机制是
兴奋性突触后电位的产生,是由于突触后膜提高了对下列哪种离子的通透性
产生兴奋性突触后电位时突触后膜对哪种离子的通透性增加( )
发生抑制性突触后电位时突触后膜对哪种离子的通透性升高( )
除哪项以外,均为快抑制性突触后电位产生过程?()
抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子的通透性增加所致()
2、2. 兴奋性突触后电位的产生,主要是增大了突触后膜上哪些离子的通透性()
抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种的离子通透性增加所致()