晶体中的位错线有几种类型？各有什么特点？
位错就是由范性形变造成的，它可以使晶体内的一原子或离子脱离规则的周期排列而位移一段距离，位移区与非位移区交界处必有原子的错位，这样产生线缺陷称为位错。（）
晶体中的刃形位错属于（）。
位错运动方向处处垂直于位错线，在运动中是可变的，晶体做相对滑动的方向（）
位错线只能终止在晶体表面或界面上，而不能中止于晶体内部。
fcc晶体中位错d的位错线方向为L//[111],柏氏矢量b=a[110]/2；此位错为（ ）。
fcc晶体中（111）面上有柏氏矢量为a［1-10］／2的全位错，（11－1）面上有柏氏矢量为a［011］／2的全位错分解为扩展位错时的领先位错分别为为a［2-1-1］/6和a［－121］／6，则两个领先位错在各自滑移面上运动而相遇时发生新的位错反应形成位错，该新反应得到的位错（ ）运动。
随着塑性变形的增加,晶体中的位错在逐渐减少。
在体心立方晶体结构中，柏氏矢量为a［100］的位错（ ）分解为a[111]/2+a[1-1-1]/2。
fcc晶体中位错d的位错线方向为L//[111],柏氏矢量b=a[110]/2；此位错为（ ）。
fcc晶体中（111）面上有柏氏矢量为a［1-10］／2的全位错，（11－1）面上有柏氏矢量为a［011］／2的全位错分解为扩展位错时的领先位错分别为为a［2-1-1］/6和a［－121］／6，则两个领先位错在各自滑移面上运动而相遇时发生新的位错反应形成位错，该新反应得到的位错（ ）运动。
fcc晶体中（111）面上有柏氏矢量为a［1-10］／2的全位错，（11－1）面上有柏氏矢量为a［011］／2的全位错分解为扩展位错时的领先位错分别为为a［2-1-1］/6和a［－121］／6，则两个领先位错在各自滑移面上运动而相遇时发生反应形成的新的位错柏氏矢量为（ ）。
fcc晶体中，柏氏矢量为a[101]/2的螺型位错能在(11-1)和(1-1-1)面上交滑移。
简单立方晶体中(100)面有一个b=[011]的位错,在(001)面上有一个b=[010]的刃型位错与它交割,交割后产生了割阶
在fcc结构的铝单晶体中，对于全位错a [10-1] /2，正确的是（ ）。
单位位错是柏氏矢量恰好等于单位点阵矢量的位错。所以fcc中单位位错的柏氏矢量为a＜110＞/2。
若面心立方晶体中有b=a/2[-101]的全位错和b=a/6[12-1]的不全位错,此两位错相遇发生位错反应,试问: （1)此反应能否进行？为什么？ （2)写出合成位错的柏氏矢量,并说明合成位错的性质。
2. 晶体中形成螺位错后，原来与位错线垂直的晶面，变为以位错线为中心轴的螺旋面。
刃型位错的位错线与晶体的滑移方向垂直。（)
位错可以在晶体生长和硅片制备过程中的任意阶段产生（）
1、1. 螺位错的位错线（)于滑移方向。
2、2. 晶体中的位错在应力作用下可产生运动，位错的运动方式有（）。
位错属于下列晶体缺陷中的（）
当晶体中位错密度很低时，接近于理想状态，晶体强度很高;相反在晶体中位错密度很高时，其强度也很高。（)
