下列音阶唱名请依音阶低到高顺序排列？A.Re,B.Si,C.Sol,D.Fa
fcc晶体中位错d的位错线方向为L//[111],柏氏矢量b=a[110]/2；此位错为（ ）。
沿y轴放置的电介质圆柱底面积为S，下底面坐标为a,上底面坐标为b,周围是真空，已知电介质内各点极化强度 （其中K 为常量，j为沿y轴正向的单位矢量），则圆柱上底面上的极化电荷面密度（）。02b617e5646f852ee2207a7b11ce8537.png
fcc晶体中位错d的位错线方向为L//[111],柏氏矢量b=a[110]/2；此位错为（ ）。
CAD中作出的图形是一种 ( )A: 矢量图B: 位图C: 不定D: 以上都不对
fcc晶体中位错d的位错线方向为L//[11-2],柏氏矢量b=a[-110]/2；此位错可以分解为a[-12-1]/6+a[-211]/6。
一质点在平面上运动，已知质点位置矢量的表示式为（其中a、b为常量），则该质点作（ ）dfe80032b084cefe534b2d4348f84bbe.png
5.2正弦交流电的表达方式及相位关系已知，i=20sin(214t-45°)A,u1超前i 90°，u2与i反相，求u1和u2可能的矢量图
估计下列物质中，属于分子晶体的是（) （A) BBr3，熔点-46℃ （B) KI，熔点880℃ （C) Si，熔点1423℃ （D) NaF
已知A＋A＋B＋B＋B=21已知A＋A＋B＋B＋B＋B＋B＋B=30求A=？ B=？已知A+A+B+B+B=21已知A+A+B+B+B+B+B+B=30求A=？ B=？
已知某Si－PIN光电二极管的响应度R0=0.5 A／W，一个光子的能量为2.24×10－19 J，电子电荷量为1.6已知某Si-PIN光电二极管的响应度R0=0.5 A/W，一个光子的能量为2.24×10-19 J，电子电荷量为1.6×10-19 C，则该光电二极管的量子效率为()
根据ISO/CD17511简化的量值溯源图其链的顶端理想的是（)A、一级参考测定方法B、国际单位制（SI)单
已知35kV架空线路1.5km长，线路单位电抗为0.4Ω/km，求在基准容量为Si＝100MV.A时的电抗标幺值为（)。A
若面心立方晶体中有b=a/2[-101]的全位错和b=a/6[12-1]的不全位错,此两位错相遇发生位错反应,试问: （1)此反应能否进行？为什么？ （2)写出合成位错的柏氏矢量,并说明合成位错的性质。
关于我国法定计量单位，下列说法不正确的是（)。A．我国采用国际单位制B．所有SI单位都是我国法定计量
MOV AX，ES: [BX] [SI]的源操作数的物理地址是（)。A．16d×（DS)+（BX)+（SI)B．16d×（ES)+（BX)+（SI)C．
MOV AX，ES：[BX][SI)的源操作数的物理地址是（)。A．16d×（DS)+（BX)+（SI)B．16d×（ES)+（BX)+（SI)C．16
MOV AX，ES：[BX][SI]的源操作数的物理地址是（)。A．16d×（DS)+（BX)+（SI)B．16d×（ES)+（BX)+（SI)C．16
（）是单店识别系统中最具有传播力和感染力的因素。 A.MI B.BI C.VI D.SI
26、一质点在平面上运动,已知质点位置矢量的表示式为 （其中a、b为常量), 则该质点作
设A、B为实常数矢量，试将和表示成，及的线性叠加，并计算它们的迹。
图中A是面心立方结构中的扩展位错，B是封闭的位错环，它的柏氏矢量和A左边的部分位错的相同。A和B都向左移动时，不改变其形状和尺寸，问位错扫过后滑移面两侧原子的移动方式是否相同？
1、利用矢量X在坐标系A 、B中的投影相等的原理，建立坐标系A 、B之间的转换关系，这种方法被称为
如果给定一个未知矢量与一个已知矢量的标量积和矢量积,那么便可以确定该未知矢量.设A为一已知矢量,p=A.X而P=AxX,p和P已知,试求x
