80C51中可使用的最大堆栈深度为()。
对正性光刻来说,剩余不可溶解的光刻胶是掩膜版图案的准确复制。
80C51与8051的区别在于()
在集成电路制造工艺步骤中,光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。
在下列单片机芯片中使用掩膜ROM作为内部程序存储器的是()
简述80C51单片机的寻址方式。
不属于80C51内部结构的是()。
若计划用图示中掩膜版上黑色区域在硅片上制作扩散区,光刻时需要使用哪种光刻胶?为什么?并简介光刻操作流程。https://assets.asklib.com/psource/2015122710254016668.jpg
投影掩膜版上的图形是由金属钽所形成的。
80C51单片机的CPU为()位。
二元掩膜
80C51单片机响应中断的过程是()。
简述80C51单片机的中断系统功能
80C51芯片采用的半导体工艺是()。
金属剥离工艺是以具有一定图形的光致抗蚀剂膜为掩膜,带胶蒸发或溅射所需的金属,然后在去除光致抗蚀剂膜的同时,把胶膜上的金属一起去除干净。()
在下列单片机芯片中使用掩膜ROM作为内总程序存储器的是()。
当使用80C51且/EA=1,程序存储器地址大于4KB时,访问的是()ROM。
ROM又称掩膜只读存储器,它存储的内容()
80C51单片机的基本定时单位有( )。
80C51指令按指令长度分类有( )。
所设计MEMS器件版图上布置有对准标记用于加工时多层掩膜版间的对正。()
对于同样电路图形的光学曝光,既可以用正胶来实现,也可以用负胶来实现,只是掩膜不同。
14、只读存储器ROM一般可分为:掩膜ROM、PROM、 、 四种。答案用“、”隔开。
8、进行图像范围掩膜时,待处理图像与工作范围图像应该