最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。
在集成电路制造工艺步骤中，光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。
试述光刻加工的主要阶段？
光刻胶的光学稳定通过（）来完成的。
ULSI对光刻的要求
什么是光刻？光刻的主要流程有哪些？
曝光后烘焙，简称后烘，其对传统I线光刻胶是必需的。
如果光刻胶在曝光前可溶于某种溶液而经过曝光后不可溶，则这种光刻胶为正胶。
最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是哪种胶？
光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和（），两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同，前者是（），后者是（）。
有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区、刻蚀区和扩散区。
什么是正光刻胶，负光刻胶？
若计划用图示中掩膜版上黑色区域在硅片上制作扩散区，光刻时需要使用哪种光刻胶？为什么？并简介光刻操作流程。https://assets.asklib.com/psource/2015122710254016668.jpg
光刻区使用黄色荧光灯照明的原因是，光刻胶只对特定波长的光线敏感，例如深紫外线和白光，而对黄光不敏感。
什么是负性光刻？正性光刻？
负性和正性光刻胶有什么区别和特点？
光致抗蚀剂在曝光前对某些溶剂是可溶的，曝光后硬化成不可溶解的物质，这一类抗蚀剂称为负性光致抗蚀剂，由此组成的光刻胶称为负性胶。（）
例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。
解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么？
3、哪个是表征光刻精度的性能指标，它不仅与光刻胶本身有关，还与光刻工艺条件和操作技术等因素有关（）。
所设计MEMS器件版图上布置有对准标记用于加工时多层掩膜版间的对正。（)
5、正性光刻胶与负性光刻胶的显影有什么不同？
16、光刻的工艺要求是： 。
51、光刻时需要多片掩膜版，每一掩膜版的图形都需要进行： 。
