计算题：用2.5级电压表的200V档，在额定工作条件下测量某电压值，其指示值为175.0V，试求测量结果可能出现的最大相对误差，并指出实际值的范围。
在场效应管中,沟通被夹断时的漏源电压叫夹断电压。
场效应管的漏极电流ID受栅源电压UGS的控制，是电压控制元件。
在福克斯的点火开关打开时，某技师测量DLC的电压值，则下面结果不正确的是（）
如果测量值异常（测量值偏大或增量偏大），可测量介质损耗因数与测量电压之间的关系曲线，测量电压从（）kV到Um/√3。
持续运行电压下避雷器带电测量，主要是检测通过避雷器外套的漏电流。
示波器垂直偏转因数某档误差为-2%，用该档来测量某一电压幅度，读数为6V，则该电压实际值为（）。
计算题：某测量球隙间距6mm，已知其在标准大气状态下放电电压值为18kV，求在环境温度为30℃、气压p为101.3kPa下实际放电电压值及击穿场强。
一般开关电源MOSFET管的漏、源极完全导通时的栅极电压为（）V。
额定栅源电压是功率场效应管的额定电压。
在测量电缆对地的绝缘电阻，被测设备的漏电压较严重时，要使用兆欧表的（），并将其接屏蔽层或外壳。
测量电路中某电阻两端电压时，发现它的电压降升高了，说明可能电源电压升高了、电流增大了或电阻值（）了.
电压测量法一般以（）端为参考点，测量某点的电位，就是该点对地的电压值（）。
输出特性曲线描述的是漏源电压与栅源电压之间的关系。 （1.0分）
对于0.5级的电压表，使用量程为3V，若用它单次测量某一电压U，测量值为2.763V，则测量结果应表示为U= ___，相对不确定度为B= ___。
【单选题】P沟道增强型MOSFET工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置（)
当N沟道增强型MOSFET的VDS增大,VGD会增大,当VGD增大至开启电压VT时产生预夹断（）
P-MOSFET栅偏压为零时，漏源极之间就存在导电沟道的称为耗尽型。（）
测得某增强型场效应管栅源电压为2V，已知Vth=1V，则该管不可能工作在（）区。
24、设MOS管的VPN＝-2V，当测量到它在电路中的电压值为：VDS＝3V，VGS＝-1V时，可以断定该MOS管工作在饱和区。
23、设MOS管的VTN＝1V，当测量到它在电路中的电压值为：VDS＝3V，VGS＝2V时，可以断定该MOS管工作在恒流区。
15、作为放大器件工作时，耗尽型N沟道MOSFET的栅源电压能用正向偏置。
2、某N沟道耗尽型MOSFET，其阈值电压为-2V，增益因子β为2A/V2。当栅极电压为3V，漏极电压为4V时，器件的漏源电流为（）。
12、一般把增强型MOSFET在漏源电压作用下开始导电时的栅源电压称为（）。
