MOS管的哪些参数随温度变化？如何变化？
MOS场效应管的英语缩写是（）。
什么是MOS管的体效应？
在被搅拌的熔体中，从加入示踪剂到它在熔体中均匀分布所需时间称为（）。
MOS管有三个电极，以下性不属于MOS管的电极是：（）
湿敏电容湿度传感器中，当相对湿度由0%－100%变化时，信号变换电路输出（）的电压，经放大成0－1V或0－5V的电压，输出给测量及控制系统。
由于硅稳压管的反向电压很低，所以它在稳压电路中不允许反接。
MOS管的核心结构是什么？
测量某放大电路负载开路时输出电压为3V，接入2kΩ的负载后，测得输出电压为1V，则该放大电路的输出电阻为（ ）。
在某一放大电路输入端测量到输入正弦信号电流和电压峰—峰值分别为5μA和5mV,输出端接2KΩ电阻负载，测量到正弦电压峰—峰值为1V。试计算该放大电路的功率增益（）。
在某一放大电路输入端测量到输入正弦信号电流和电压峰—峰值分别为5μA和5mV,输出端接2kΩ电阻负载，测量到正弦电压峰—峰值为1V。试计算该放大电路的电流增益Ai（）。
在某一放大电路输入端测量到输入正弦信号电流和电压峰—峰值分别为5μA和5mV,输出端接2kΩ电阻负载，测量到正弦电压峰—峰值为1V。试计算该放大电路的电压增益Av（）。
如上图所示电路中,设E1=5v,R1=10欧,E2=1v,R2=20欧,R3=30欧,用支路电流法求各支路电流为( )
场效晶体管在可变电阻区工作时,D、S间可以看作是一个受UGs控制的可变电阻（RDs=UDs/ID)。今有一个N沟道耗尽型MOS管,在UDs=1V的条件下，当UGs分别为0 V,-1 V和-2 V时,ID分别为4 mA,2 mA和0.8 mA,试计算不同UGs时的RDS 。
()和边界检查相似，它在程序指针被引用之前首先检测到它的改变。
下图画出一发射极接地型的检测电路和光电池2CR41的伏安特性曲线，设放大管的电流放大倍数β=50，试求当光照由500lx变化至1000lx时，放大器的输出电压△U？
以下关于MOS管的说法正确的是
电路如图题7-3所示,当t＜0时,u<sub>s</sub>（t)=-1V.在t=0时,u<sub>s</sub>（t)突然增至1V,以后即一直保持为此值
24、设MOS管的VPN＝-2V，当测量到它在电路中的电压值为：VDS＝3V，VGS＝-1V时，可以断定该MOS管工作在饱和区。
测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=3V，VGS=-2V，VTP=-1V；其中VTP为增强型PMOS管的开启电压；试判断该管工作在什么区域。
25、P沟道耗尽型MOS管的夹断电压UGS（off)＝-1V，当测量到它在电路中的电压值为：UDS＝-3V，UGS＝-2V时，可以断定该MOS管工作在截止区。
26、N沟道耗尽型MOS管的夹断电压UGS（off)＝-2V，当测量到它在电路中的电压值为：UDS＝3V，UGS＝-1V时，可以断定该MOS管工作在饱和区。
湿敏电容湿度传感器中，当相对湿度由0%£100%变化时，信号变换电路输出（)的电压，经放大成0£1V或0£5V的电压，输出给测量及控制系统。
32题中，（3）当输入正弦交流电压的最大值Uim＝1V时，电路的输出功率及电源效率分别约为 。
