如图所示是测量一般导线电阻的电路，设导线长为2m，截面积S为0.5mm2，如果电流表的读数为1.16A，电压表的读数为2V，求该导线的电阻率是多少？https://assets.asklib.com/psource/2015031413033154279.jpg
15kVA大站直流电源屏，当负载在70%～80%的范围变化时，直流输出电压应稳定在24V±2V范围。
在被搅拌的熔体中，从加入示踪剂到它在熔体中均匀分布所需时间称为（）。
源电动势为2V，内电阻是0.1Ω，当外电路断路时，电路中的电流和端电压分别为（）
电源电动势是2V，内电阻是0.1Ω，当外电路断路时，电路中的电流和端电压分别是（）。
电源电动势为2V，内电阻是0.1Ω，当外电路短路时，电路中的电流和端电压分别为（）
由于硅稳压管的反向电压很低，所以它在稳压电路中不允许反接。
有一电压源2V，内电阻0.1Ω，当外电路断路时，电路中的电流和端电压分别为 （ ）
【单选题】有一电压为2V，内电阻为0.1Ω的实际电压源，当外电路开路时，电路中的电流和端电压分别为（）。
在A、B两个直接耦合放大电路中，A放大电路的电压放大倍数为100，当温度由20℃变到30℃时，输出电压漂移了2V;B放大电路的电压放大倍数为1000，当温度从20℃变到30℃时，输出电压漂移10V。试问哪个放大电路的零漂小？为什么？
()和边界检查相似，它在程序指针被引用之前首先检测到它的改变。
在如图11.13所示的电路中，已知R1=R3=R4=2Ω，R2=6Ω，=6V，=2V。各电池的内阻均可忽略。求：（1)当开关S
下图画出一发射极接地型的检测电路和光电池2CR41的伏安特性曲线，设放大管的电流放大倍数β=50，试求当光照由500lx变化至1000lx时，放大器的输出电压△U？
1、对放大电路中的三极管进行测量，各极对地电压分别为UB=2.7V，UE=2V，UC=6V，则该管工作在 。
电源电动势是2V，内电阻是0.1Ω，当外电路断路时，电路中的电流和端电压分别为（）
电源电动势是2V，内电阻是0.1Ω，当外电路短路时，电路中的电流和端电压分别为（）
5、有一乙类OCL功放电路，其电源电压VCC=16V，功率管的UCES=2V，RL=10Ω，可得到最大输出功率为（）。
如图所示是测量一般导线电阻的电路，设导线长为2m，截面积S为0.5mm<sup>2</sup>，如果电流表的读数为1.16A，电压表的读数为2V，求该导线的电阻率是多少？
N沟道MOS管的转移特性中，下列描述正确的是（）
在图P9.2所示电路中,已知V<sub>cc</sub>=16V,R<sub>L</sub>=4Ω,T1和T2管的饱和压降|U<sub>CES</sub>|=2V,输入电压足够大.试问:
测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=3V，VGS=-2V，VTP=-1V；其中VTP为增强型PMOS管的开启电压；试判断该管工作在什么区域。
25、P沟道耗尽型MOS管的夹断电压UGS（off)＝-1V，当测量到它在电路中的电压值为：UDS＝-3V，UGS＝-2V时，可以断定该MOS管工作在截止区。
26、N沟道耗尽型MOS管的夹断电压UGS（off)＝-2V，当测量到它在电路中的电压值为：UDS＝3V，UGS＝-1V时，可以断定该MOS管工作在饱和区。
23、设MOS管的VTN＝1V，当测量到它在电路中的电压值为：VDS＝3V，VGS＝2V时，可以断定该MOS管工作在恒流区。
