N型杂质半导体中，多数载流子是（）
温度升高后本征半导体中自由电子与空穴两种载流子浓度将不再相等。
半导体载流子在输运过程中，会受到各种散射机构的散射，主要散射机构有（）、（）、中性杂质散射、位错散射、载流子间的散射和等价能谷间散射。
当电器中的载流系统通过交流电流时，载流导体中损耗的能量是电器的唯一热源。
在杂质半导体中，杂质饱和电离区载流子的主要来源是本征激发的载流子。
若n型硅中掺入受主杂质，费米能级升高还是降低？若温度升高当本征激发起作用时，费米能级在什么位置，为什么？
杂质半导体中少数载流子浓度（）
半导体中的载流子为（）。
在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（） ，而多数载流子的浓度则与（）有很大关系。
温度补偿机构中的双金属片，当温度升高时双金属片（）
如果温度升高，半导体中的电离杂质散射概率和晶格振动散射概率的变化分别是（）。
杂质半导体中多数载流子的浓度取决于（）
电子电导时，载流子的主要散射机构有（）、（）、（）、晶格振动的散射。
半导体中的载流子是电子。
半导体中的载流子（）。
杂质半导体中有________和________两种载流子参与导电，其中________带正电，而________带负电。
空穴为（ ）载流子。自由电子为（ ）载流子的杂质半导体称为P型半导体。
半导体激光发光是由（ ）之间的电子-空穴对复合产生的，激励过程是使半导体中的载流子从平衡状态激发 到非平衡状态的激发态。
◑在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于()。◑A.温度◑B.掺杂工艺◑C.杂质浓度◑D.晶体缺陷
1. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 （） A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷
3、3、若半导体中同时存在施主杂质和受主杂质，且杂质浓度基本相等，则该半导体类似于本征半导体，半导体中的载流子基本由本征激发提供
2、在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于 。
1、杂质半导体中的载流子受温度影响较大的是（）。
2、在低于室温的条件下，杂质半导体的载流子浓度主要由 提供？
