N型杂质半导体中，多数载流子是（）
温度升高后本征半导体中自由电子与空穴两种载流子浓度将不再相等。
半导体载流子在输运过程中，会受到各种散射机构的散射，主要散射机构有（）、（）、中性杂质散射、位错散射、载流子间的散射和等价能谷间散射。
在杂质半导体中，杂质饱和电离区载流子的主要来源是本征激发的载流子。
杂质半导体多子的浓度受温度的影响很小。
杂质半导体中少数载流子浓度（）
物质呈现的（）受材料和所含杂质成分、温度和湿度的影响。
半导体中的载流子为（）。
由于空压机受（）的性能的影响较大，要求螺杆压缩机的额定环境温度和冷却空气温度的范围为+1~+45℃。
对于晶体硅太阳能电池，环境对开路电压和短路电流有一定影响，其中受温度影响较大的是（），受太阳辐照度影响较大的是（）
在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（） ，而多数载流子的浓度则与（）有很大关系。
如果温度升高，半导体中的电离杂质散射概率和晶格振动散射概率的变化分别是（）。
杂质半导体中多数载流子的浓度取决于（）
杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是（）
液体密度几乎不受温度和压力的影响，而气体密度受温度和压力影响较大。
杂质半导体中有________和________两种载流子参与导电，其中________带正电，而________带负电。
空穴为（ ）载流子。自由电子为（ ）载流子的杂质半导体称为P型半导体。
◑在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于()。◑A.温度◑B.掺杂工艺◑C.杂质浓度◑D.晶体缺陷
在一定温度下，半导体热平衡时载流子浓度积等于本征载流子浓度的平方，而与掺杂无关。
1. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 （） A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷
一、单项选择（每题4分） 1、从能带角度分析绝缘体、导体和半导体，以下说法错误的是（)。 A. 绝缘体一般具有较大的禁带宽度 B. 绝缘体的导电性能差 C. 半导体的禁带宽度大于绝缘体，而小于导体 D. 一般来讲，材料的禁带宽度越大，导电性越差 2、若半导体材料的费米能级高于本征费米能级，则该半导体具体为（)。 A. 本征半导体 B. P型半导体 C. N型半导体 D. 杂质半导体 3、当PN结加反向偏压时，它的耗尽层宽度 ，势垒高度 （)。 A. 变宽，变小 B. 变窄，变大 C. 变窄，变小 D. 变宽，变大 4、 对于单边突变硅n+/p结，耗尽区主要分布在（） A. n+区 B. p区 C. 中性区 D. 扩散区 4、对平衡状态下的PN结，下列说法错误的是（） A. 它的空间电荷区也叫耗尽区 B. 耗尽区存在自由载流子，非电中性 C. 中性区电场强度为零 D. 空间电荷区外部区域称为中性区 5、PN结势垒区电势最低的位置是（）。 A. 靠近P区的势垒区边界 B. 靠近N
3、3、若半导体中同时存在施主杂质和受主杂质，且杂质浓度基本相等，则该半导体类似于本征半导体，半导体中的载流子基本由本征激发提供
2、在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于 。
2、在低于室温的条件下，杂质半导体的载流子浓度主要由 提供？
