药物在体内的过程一般包括吸收、分布、代谢和排泄4个过程。为了定量地研究药物在体内的变化过程，首先要建立起研究模型。人们用数学方法模拟药物在体内吸收、分布和消除的速度过程而建立起来的数学模型称为药物动力学模型。常用的有房室模型、非线性药物动力学模型、生理药物动力学模型、药理药物动力学模型和统计矩模型等。茶碱的分布模型一般是（）
当交流电通过导体时，导线截面上各处电流分布不均匀，中心部位电流密度小，而靠近表面的电流密度大，这种电流分布不均匀的现象称为（）。
分布在滑坡体前缘（尤以舌部为多），因滑坡体向两侧扩散而形成的放射状分布的张裂隙称为：（）
涂膜中的凸起物成颗粒状分布在整个或局部表面上的现象称为颗粒。
药物在体内的过程一般包括吸收、分布、代谢和排泄4个过程。为了定量地研究药物在体内的变化过程，首先要建立起研究模型。人们用数学方法模拟药物在体内吸收、分布和消除的速度过程而建立起来的数学模型称为药物动力学模型。常用的有房室模型、非线性药物动力学模型、生理药物动力学模型、药理药物动力学模型和统计矩模型等。环孢素A的分布模型是（）
药物在体内的过程一般包括吸收、分布、代谢和排泄4个过程。为了定量地研究药物在体内的变化过程，首先要建立起研究模型。人们用数学方法模拟药物在体内吸收、分布和消除的速度过程而建立起来的数学模型称为药物动力学模型。常用的有房室模型、非线性药物动力学模型、生理药物动力学模型、药理药物动力学模型和统计矩模型等。地高辛的分布模型是（）
秩相关系数和坎德尔相关系数在数学上具有良好的性质，但既不能刻画两个变量之间的相关程度，而且也无法通过各变量的边缘分布刻画两个变量的联合分布。()
恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为什么分布？（）
当交流电通过导线时，导线截面上各处电流分布不均匀，中心处电流密度小，而靠近表面的电流密度大，这种电流分布不均匀的现象称为（）效应。
在舌的表面，分布着许多乳头状的组织。在这些乳头状的组织上，分布着味觉细胞，被称为（）。
恒定表面浓度的条件下，在整个扩散期间，（）保持恒定表面浓度。
分布在心血管和淋巴管内表面的单层扁平上皮又称为（），而分布在胸腔、腹膜和心外膜表面的单层扁平上皮又称为（），它们均来源于（）。
恒定表面源扩散
设X在区间[a，b]上服从均匀分布，则数学期望EX=（）
接地短路（故障）电流流过接地装置时，大地表面形成分布电位，在地面上离设备水平距离为（）处与设备外壳、架构或墙壁离地面（）处两点的电位差称为接触电位差。
分布在血管内表面的单层扁平上皮又称为（）。
在静电情况，导体内无电荷分布，电荷只分布在表面上。（)
下面（)选项所描述的扩散是：利用保护性气体把杂质源蒸汽携带入石英管内，杂质在高温下分解，并与衬底表面的硅原子发生反应，杂质原子向硅片内部扩散。
制造晶体管一般是在高杂质浓度的n型衬底上外延一层n型的外延层，再在外延层中扩散硼、磷而成。①设n型硅单晶衬底是掺锑的，锑的电离能为0.039eV,300k时的E<sub>F</sub>位于导带底下面0.026eV处，计算锑的浓度和导带中电子浓度。②设n型外延层杂志均匀分布，杂质浓度为4.6x10<sup>15</sup>cm<sup>-3</sup>,计算300K时的E<sub>F</sub>位置和电子空穴浓度。③在外延层中扩散硼后，硼的浓度分布随样品深度变化。设扩散层某一深度处硼的浓度为5.2x10<sup>15</sup>cm<sup>-3</sup>,计算300K时E<sub>F</sub>位置和电子空穴浓度。④如温度升高到500，计算③中电子空穴的浓度。
判断：（1）气相外延时，能够通过使用低温硅源降低工艺温度来彻底避免自掺杂效应引起的杂质再分布。 （2）掺杂剂需要用氢稀释十~五十倍，以减小掺杂气体的流量误差。
1、杂质的扩散掺杂两种方式： 和 。 2、实际扩散工艺采用两步扩散工艺，结合两种扩散工艺，分为 和 ，预淀积是惰性气氛下的 扩散，目的是 。再分布是惰性气氛下的 扩散，将窗口杂质再进一步向片内扩散，目的是 。 3、硅中点缺陷有 、 和 。 4、氧化增强与硅表面的取向有关，在干氧氧化时， 晶面的氧化增强的效果最强。 5、（判断）硅经扩散工艺掺入的杂质均已完全电离，无需再退火激活，这种说法是否正确。
扩散工艺中杂质浓度分布的测量可以采用（)法测试。
离子注入可以精确的控制杂质的分布,在表面杂质浓度最高,越远离表面浓度越低（）
7、根据粉体的粒度分析数据，通过数学方法将其整理归纳出足以反映其粒度分布规律的数学表达式称为 ，它能更准确地表达粒度分布规律。
