二极管的反向饱和电流随温度的上升而减小。
场效应管的漏极电流ID受栅源电压UGS的控制，是电压控制元件。
当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将（）。
增强型NMOS场效应管必须在（）时，才能形成导电沟道，在UGS作用下形成漏极电流ID。
某N沟道场效应晶体管测得UGS=0时，漏极电流Id=10mA，则该管的类型为（）。
对于处于饱和区的MOS晶体管，漏源电流随其宽长比的增大而增大。
场效应管漏极电流由的漂移运动形成（）。
MOSFET功率管的三个极分别为漏极、栅极和（）。
功率场效应管漏极伏安特性可分为放大区、饱和区和击穿区
由于漏极电流受栅-源电压的控制，故称场效应管为电流控制元件。
当场效应管的漏极直流电源ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将（）。
当场效应管的漏极直流电流 ID从 2mA 变为 4mA 时,它的低频跨导 gm将( ) 。
【单选题】P沟道增强型MOSFET工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置（)
场效应管的沟道完全夹断后，其漏极电流iD（)。A.很大B.随VDS变化C.较小D.等于0
当N沟道增强型MOSFET的VDS增大,VGD会增大,当VGD增大至开启电压VT时产生预夹断（）
场效应管的漏极电流ID=()，所以它是()控制文件。
69、IDSS表示工作于饱和区的增强型场效应管在uGS=0时的漏极电流。（）
24、设MOS管的VPN＝-2V，当测量到它在电路中的电压值为：VDS＝3V，VGS＝-1V时，可以断定该MOS管工作在饱和区。
测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=3V，VGS=-2V，VTP=-1V；其中VTP为增强型PMOS管的开启电压；试判断该管工作在什么区域。
2、某N沟道耗尽型MOSFET，其阈值电压为-2V，增益因子β为2A/V2。当栅极电压为3V，漏极电压为4V时，器件的漏源电流为（）。
三相全控桥式整流电路中晶闸管电流的有效值Iv=1/√3Id.（)
四个FET的转移特性分别如图题4.8.5a，b，c，d所示，其中漏极电流iD的假定正向是它的实际方向。试问它们各是哪种类型的FET？
1、低频跨导是指静态工作点处漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比。
1、场效应管利用外加电压产生的_______来控制漏极电流的大小，因此它是_______控制器件。
