P-MOSFET是多数载流子工作的器件，其元件的通态电阻具有正的（），有较宽的安全工作区。
如何解决MOS器件的场区寄生MOSFET效应？
电力场效应管MOSFET是理想的电压控制器件。
电力电子器件P-MOSFET为（）器件。
功率开关器件：主要采用（）或（）；现在已经采用一种新型的开关组合方式：MOSFET和IGBT（）。
电力场效应管MOSFET是理想的（）控制器件。
目前高频开关整流器采用的高频功率开关器件通常有功率MOSFET、IGBT管、以及两者混合管和（）等等。
N沟道MOSFET管的导通条件是（）。
电力场效应管MOSFET是（）器件。
功率MOSFET驱动功率小，驱动电路简单，功率增益高，是一种（）控制器件。
下列器件中，（）集MOSFET和功率晶体管的优点于一身。
采用MOSFET作为nMOS反相器的负载器件有哪些优点？
MOSFET晶体管属于（）器件。
功率MOSFET是一种（）器件，具有驱动功率小，工作速度快，无二次击穿和安全区宽等特点。
功率MOSFET驱动功率小，驱动电路简单，功率增益高，是一种（）电压控制器件。
目前高频开关整流器采用的高频功率开关器件通常有功率MOSFET、IGBT管、晶闸管、功率集成器件等等。
下列MOSFET电压裕量取值那些是合理的？
IGBT 的驱动原理与 MOSFET 基本相同，它是 _______ 器件。
【填空题】写出对应的全控器件的英文缩写：门极可关断晶闸管___________，绝缘栅极型场效应管____________，绝缘栅双极晶体管___________ 答案: GTO ■ MOSFET ■ IGBT
电力MOSFET通态电阻具有负温度系数，对器件并联时的均流有利。（)
场效应晶体管是一种重要的开关器件，在数字电路中，常用（_ _ _)MOSFET
IGBT是MOSFET和GTR复合的产物，具有GTR的异通特性和MOSFET的驱动特性，下列哪项属于它的特性（）
15、作为放大器件工作时，耗尽型N沟道MOSFET的栅源电压能用正向偏置。
2、某N沟道耗尽型MOSFET，其阈值电压为-2V，增益因子β为2A/V2。当栅极电压为3V，漏极电压为4V时，器件的漏源电流为（）。
