电力场效应管MOSFET是理想的电压控制器件。
电力电子器件P-MOSFET为（）器件。
用什么参数衡量MOS器件的增益？
电力场效应管MOSFET是理想的（）控制器件。
IGBT的基本结构是由“双极型三极管BJT”和“MOS绝缘栅型场效应管”组成的（）电力电子器件。
电力场效应管MOSFET是（）器件。
功率MOSFET驱动功率小，驱动电路简单，功率增益高，是一种（）控制器件。
MOSFET是（）器件。
焊接点区域加温时，一般元器件的焊接时间为3秒，场效应管、MOS等电路等控制在（），接线柱、插头、插座、钮子开关、波段开关、焊片等可控制在3–5秒。
下列器件中，（）集MOSFET和功率晶体管的优点于一身。
采用MOSFET作为nMOS反相器的负载器件有哪些优点？
小尺寸MOS器件中的二级效应包括哪些？
MOSFET晶体管属于（）器件。
如何解决MOS器件中的寄生双极晶体管效应？
IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件，它兼有MOS和晶体管二者的优点，属于电压型驱动器件。
功率MOSFET驱动功率小，驱动电路简单，功率增益高，是一种（）电压控制器件。
SIM9仿真库中的主要元件有电阻、电容、电感、（）、（）、JFET结型场效应晶体管、MOS场效应晶体管、电压/电流控制开关、熔丝、继电器、互感、TTL和CMOS数字电路元器件、模块电路等
IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件。它兼有MOS和晶体管二者的优点，属电流型驱动器件。
什么是MOS晶体管的有源寄生效应？
在大规模集成电路中，闩锁效应来自于MOS器件有源区PN结与衬底之间寄生的双极性晶体管。请举出3种微电子工艺中利用离子注入或别的手段抑制或消除闩锁效应的方法。
目前高频开关整流器采用的高频功率开关器件通常有功率MOSFET、IGBT管、晶闸管、功率集成器件等等。
IGBT 的驱动原理与 MOSFET 基本相同，它是 _______ 器件。
【填空题】写出对应的全控器件的英文缩写：门极可关断晶闸管___________，绝缘栅极型场效应管____________，绝缘栅双极晶体管___________ 答案: GTO ■ MOSFET ■ IGBT
场效应晶体管是一种重要的开关器件，在数字电路中，常用（_ _ _)MOSFET
