高频调谐功率放大器无发射结偏置时，锗管的导通角为60° ~ 80°。
晶闸管的导通条件是（）和控制极上同时加上正向电压。
交流脉冲调宽式晶体管电压调节器，当发电机电压降低时，功放管的导通比（）
高频调谐功率放大器无发射结偏置时，硅管的导通角为（）。
高频调谐功率放大器无发射结偏置时，锗管的导通角为（）。
MOSFET的导通电阻非常小，所以导通损耗也非常小。
当脉冲调宽电路元件性能变差，使开关管的导通时间偏离正常值，使输出电压偏低时，会出现（）现象
振荡式无触点电子点火系统是利用（）传感器作为开关电路的控制大功率管的导通与截止的。
晶闸管的导通条件是阳极和（）上同时加上正向电压。
高频调谐功率放大器无发射结偏置时，硅管的导通角为40° ~ 60°。
脉宽调制式（PWM）开关型稳压电路是在保持脉冲频率不变而改变调整管的导通时间来实现稳压的。
一般开关电源MOSFET管的漏、源极完全导通时的栅极电压为（）V。
晶闸管的导通条件是什么？怎样使晶闸管由导通变为关断？
若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。
在规定条件下，不论流过晶闸管的电流波形如何，与不论晶闸管的导通角有多大，只要通过管子的电流的有效值不超过该管的额定电流的有效值，管子的发热是允许的。
N沟道增强型MOSFET工作于放大工作状态时，要求UGSQ＞______, UDSQ＞______。
当N沟道增强型MOSFET的VDS增大,VGD会增大,当VGD增大至开启电压VT时产生预夹断（）
甲类放大电路是指放大管的导通角为();乙类放大电路则其放大管的导通角为();在甲乙类放大电路中，放大管的导通角为 ()
PN结的单向导电性二极管的导通条件是（）
9、N沟道增强型MOSFET工作于放大工作状态时，要求UGSQ＞______, UDSQ＞______。
E-MOSFET根据导电沟道的电极性，分为N沟道和P沟道。
N沟道MOS管的转移特性中，下列描述正确的是（）
15、作为放大器件工作时，耗尽型N沟道MOSFET的栅源电压能用正向偏置。
2、某N沟道耗尽型MOSFET，其阈值电压为-2V，增益因子β为2A/V2。当栅极电压为3V，漏极电压为4V时，器件的漏源电流为（）。
