说明费米能级的物理意义,根据费米能级位置如何计算半导体中电子和空穴浓度,如何理解费米能级是掺杂类型和掺杂程度的标志。
迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度,另一方面取决于迁移率的大小。同样的掺杂浓度,载流子的迁移率越大,材料的电导率就越高。()
半导体材料的电阻率与载流子浓度有关,同样的掺杂浓度,载流子的迁移率越大,材料的电阻率()
杂质半导体多子的浓度受温度的影响很小。
杂质半导体中少数载流子浓度()
杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种,分别是()扩散和()扩散。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分,即(),才有助于形成半导体硅。
如果有相同的电阻率的掺杂锗和硅半导体,问哪一个材料的少子浓度高,为什么?
在没有()的二元体系(即均匀混合物)中,如果各处存在温度差或总压力差,就会产生()或压力扩散,扩散的结果会导致浓度变化并引起()。
在杂质半导体中,少数载流子的浓度主要取决于() ,而多数载流子的浓度则与()有很大关系。
杂质半导体中多数载流子的浓度取决于()
对于一定的N型半导体材料,在温度一定时,减小掺杂浓度,费米能级会()。
对于一定的n型半导体材料,温度一定时,减少掺杂浓度,将导致()靠近Ei。
12、半导体的掺杂浓度越高,其费米能级的位置也越高
4、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电流小。
◑在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()。◑A.温度◑B.掺杂工艺◑C.杂质浓度◑D.晶体缺陷
在一定温度下,半导体热平衡时载流子浓度积等于本征载流子浓度的平方,而与掺杂无关。
(1)若均匀掺杂NPN晶体管的参数如下所示,请采用理想晶体管模型计算该晶体管的注入效率、基区输运系数和共射极电流放大系数β0 发射区掺杂浓度NE=5×10(^18)/CM(^3),基区掺杂浓度NB=1×10(^16)/CM(^3) 发射区宽度XE=0.20μm, 基区宽度XB=0.10μm 发射区少子扩散系数DE=10CM(^2)/S,基区少子扩散系数DB=25CM(^2)/S 发射区少子寿命τE0=1×10(^-7)/S, 基区少子寿命τB0=5×10(^-7)/S (2)实际生产中,工艺必然存在分散性。按照上述参数要求生产一批晶体管,如果不考虑其他参数的分散性,只考虑基区宽度XB分散范围在0.08μm到0.12μm之间,请计算这批晶体管共射极电流放大系数β0值的分散变化范围。
半导体材料受到应力作用时,其电阻率会发生变化,这种现象称为()。其是因在外力作用下,原子点阵排列发生变化,导致载流子迁移率及浓度发生变化而形成的,由于半导体(如单晶硅)是各向异性材料,因此它的效应不仅与掺杂浓度、温度和材料类型有关还与晶向(晶面的法线方向)有关。
1. 在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 () A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷
以下掺杂浓度,哪些可以通过扩散工艺来实现()
当扩散电阻的表面杂质浓度低时,温度增加,压阻系数下降得();当扩散电阻的表面杂质浓度高时,温度增加,压阻系数下降得()。
扩散工艺中杂质浓度分布的测量可以采用()法测试。
2、在杂质半导体中,少数载流子的浓度主要取决于 。
6、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即掺杂浓度大,扩散电流大;掺杂浓度小,扩散电流小。