迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度，另一方面取决于迁移率的大小。同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电导率就越高。（）
半导体材料的电阻率与载流子浓度有关，同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电阻率（）
对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体，在温度足够高、ni>>/ND-NA/时，半导体具有（）半导体的导电特性。
在温度一定时，导体的电阻与下列物理量中的（）无关
如果有相同的电阻率的掺杂锗和硅半导体，问哪一个材料的少子浓度高，为什么？
对于一段材质和粗细都均匀的导体来说，在一定温度下，它的电阻与其长度成正比，与它的截面积成（）。
在压力一定时，流体的密度随温度的增加而减小；在温度一定时，流体的密度随压力的增加而增加。
在一块半导体晶片上采取一定的掺杂工艺，使两边分别形成P型和N型半导体，那么在这两种半导体的交界处会形成一层很薄的层，称为（）。
对于同一材料，导热量一定时，随着壁厚的增加，壁面温度（）。
对于一定的n型半导体材料，温度一定时，减少掺杂浓度，将导致（）靠近Ei。
对于一段材质和粗细都均匀的导体来说，在一定温度下，它的电阻与其长度成（）。
当温度一定时，杂质半导体的费米能级主要由什么因素决定？试把强n，弱n型半导体与强p，弱p半导体的费米能级与本征半导体的费米能级比较。
对于同一种半导体材料其电子浓度和空穴浓度的乘积与（）有关，而对于不同的半导体材料其浓度积在一定的温度下将取决于（）的大小。
当导线材料确定后，如果截面积越大，温度越低时，则对于一定长度的导体电阻是（）。
热电偶的热端温度一定，而冷端的温度升高时，其热电势Et将会减小，而铜电 阻当电流一定时，随温度的升高其两端的电压也减小，因而DDZ-Ⅱ型温度变送器用铜电阻做热电偶的冷端补偿。
扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即掺杂浓度大，扩散电流大；掺杂浓度小，扩散电流小。
◑在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于()。◑A.温度◑B.掺杂工艺◑C.杂质浓度◑D.晶体缺陷
2、N型半导体中（）浓度相当高。
在一定温度下，半导体热平衡时载流子浓度积等于本征载流子浓度的平方，而与掺杂无关。
半导体材料受到应力作用时，其电阻率会发生变化，这种现象称为（）。其是因在外力作用下，原子点阵排列发生变化，导致载流子迁移率及浓度发生变化而形成的，由于半导体（如单晶硅）是各向异性材料，因此它的效应不仅与掺杂浓度、温度和材料类型有关还与晶向（晶面的法线方向）有关。
1. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 （） A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷
（5）对于一定量的理想气体，当温度一定时内能与焓的值一定，其差值也一定。
4、金属材料自由电子浓度很高，输出电压较小，不易做霍尔元件。半导体材料较适合，一般情况下，由于电子迁移率大于空穴迁移率，因此霍尔元件多用N型半导体材料。
6、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即掺杂浓度大，扩散电流大；掺杂浓度小，扩散电流小。
