MOS管的栅极与双极型三极管的（）相对应。
场效应管的漏极电流ID受栅源电压UGS的控制，是电压控制元件。
绝缘栅场效应管也有两种结构形式，它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道，它们又分为增强型和耗尽型两种
若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。
MOS管的栅极可与双极型栅极的（）相对应。
简述MOS管的导电沟道是如何形成的。
P 沟道结型场效应管的夹断电压 V P 为 _______ 。
制作p沟增强型MOS管时必须严格控制好氧化层中的正电荷密度，以防在栅压为零时就出现导电沟道。（)
场效晶体管在可变电阻区工作时,D、S间可以看作是一个受UGs控制的可变电阻（RDs=UDs/ID)。今有一个N沟道耗尽型MOS管,在UDs=1V的条件下，当UGs分别为0 V,-1 V和-2 V时,ID分别为4 mA,2 mA和0.8 mA,试计算不同UGs时的RDS 。
场效应管的沟道完全夹断后，其漏极电流iD（)。A.很大B.随VDS变化C.较小D.等于0
当N沟道增强型MOSFET的VDS增大,VGD会增大,当VGD增大至开启电压VT时产生预夹断（）
P-MOSFET栅偏压为零时，漏源极之间就存在导电沟道的称为耗尽型。（）
当uGS =0时,（）导电沟道,称为耗尽型MOS管,没有导电沟道的称为增强型MOS管
当门源电压UGS为零时，N沟道静电感应晶体管（SIT）处于状态（）
开启电压是耗尽型场效应管的参数；夹断电压是增强型场效应管的参数。
场效应管结型和耗尽型MOS场效应管，具有夹断电压（）
7、P沟道结型场效应管工作在恒流区其栅-源电压UGS应小于夹断断电压大于零（）。
Ugs PN结上加的正向向电压越高,沟道越窄（）
N沟道耗尽型绝缘栅场效晶体管在ID时，栅源电压为负值（）
N沟道MOS管的转移特性中，下列描述正确的是（）
26、N沟道耗尽型MOS管的夹断电压UGS（off)＝-2V，当测量到它在电路中的电压值为：UDS＝3V，UGS＝-1V时，可以断定该MOS管工作在饱和区。
15、作为放大器件工作时，耗尽型N沟道MOSFET的栅源电压能用正向偏置。
2、某N沟道耗尽型MOSFET，其阈值电压为-2V，增益因子β为2A/V2。当栅极电压为3V，漏极电压为4V时，器件的漏源电流为（）。
11、对增强型MOS管，只有在栅源电压绝对值大于 后，才会形成导电沟道。
