根据形成导电沟道载流子类型的不同，MOS管有几种类型？
单极型晶体管又称为（）管，其导电沟道有（）沟道和（）沟道。
增强型NMOS场效应管必须在（）时，才能形成导电沟道，在UGS作用下形成漏极电流ID。
绝缘栅场效应管也有两种结构形式，它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道，它们又分为增强型和耗尽型两种
若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。
简述MOS管的导电沟道是如何形成的。
单极型晶体管又称为（）管。其导电沟道分有（）沟道和P沟道。
按照导电沟道的不同，MOS管可分为（）。
UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有增强型MOS管。
双极型晶体管导电的载流子是_________；N沟道场效应管导电的载流子是__________;P沟道导电的载流子是_______。A电子 B空穴 C电子和空穴
制作p沟增强型MOS管时必须严格控制好氧化层中的正电荷密度，以防在栅压为零时就出现导电沟道。（)
场效晶体管在可变电阻区工作时,D、S间可以看作是一个受UGs控制的可变电阻（RDs=UDs/ID)。今有一个N沟道耗尽型MOS管,在UDs=1V的条件下，当UGs分别为0 V,-1 V和-2 V时,ID分别为4 mA,2 mA和0.8 mA,试计算不同UGs时的RDS 。
一场效应管，当uGS=－0.3V时，iD=4mA，当uGS=0.8V时，iD=3mA，试问该管的gm为多少？
P-MOSFET栅偏压为零时，漏源极之间就存在导电沟道的称为耗尽型。（）
场效应管结型和耗尽型MOS场效应管，具有夹断电压（）
N沟道耗尽型绝缘栅场效晶体管在ID时，栅源电压为负值（）
47、增强型绝缘栅场效应管初始时存在导电沟道。
25、P沟道耗尽型MOS管的夹断电压UGS（off)＝-1V，当测量到它在电路中的电压值为：UDS＝-3V，UGS＝-2V时，可以断定该MOS管工作在截止区。
26、N沟道耗尽型MOS管的夹断电压UGS（off)＝-2V，当测量到它在电路中的电压值为：UDS＝3V，UGS＝-1V时，可以断定该MOS管工作在饱和区。
15、作为放大器件工作时，耗尽型N沟道MOSFET的栅源电压能用正向偏置。
2、某N沟道耗尽型MOSFET，其阈值电压为-2V，增益因子β为2A/V2。当栅极电压为3V，漏极电压为4V时，器件的漏源电流为（）。
11、对增强型MOS管，只有在栅源电压绝对值大于 后，才会形成导电沟道。
19、增强型MOS场效应管由于预先在SiO2绝缘层中掺入了大量的离子，因此存在原始的导电沟道。
耗尽型MOS管工作在恒流区时的栅-源电压可以是＞0V、＜0V、=0V。
