N沟道MOSFET管的导通条件是（）。
某N沟道场效应晶体管测得UGS=0时，漏极电流Id=10mA，则该管的类型为（）。
绝缘栅场效应管也有两种结构形式，它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道，它们又分为增强型和耗尽型两种
简述MOS管的导电沟道是如何形成的。
一个N沟道结型场效应管工作时，测得UDS=6V，ID=3mA，UGS=-1V，问此管工作在什么区域（）
增强型MOS管与结型场效应管的g-s间等效电阻大的原因相同。
场效晶体管在可变电阻区工作时,D、S间可以看作是一个受UGs控制的可变电阻（RDs=UDs/ID)。今有一个N沟道耗尽型MOS管,在UDs=1V的条件下，当UGs分别为0 V,-1 V和-2 V时,ID分别为4 mA,2 mA和0.8 mA,试计算不同UGs时的RDS 。
P-MOSFET栅偏压为零时，漏源极之间就存在导电沟道的称为耗尽型。（）
设一阶系统为。（1)求单位响应h（n);（2)若系统的零状态响应为；试求输入信号。
当uGS =0时,（）导电沟道,称为耗尽型MOS管,没有导电沟道的称为增强型MOS管
当门源电压UGS为零时，N沟道静电感应晶体管（SIT）处于状态（）
场效应管结型和耗尽型MOS场效应管，具有夹断电压（）
7、P沟道结型场效应管工作在恒流区其栅-源电压UGS应小于夹断断电压大于零（）。
N沟道耗尽型绝缘栅场效晶体管在ID时，栅源电压为负值（）
N沟道MOS管的转移特性中，下列描述正确的是（）
25、P沟道耗尽型MOS管的夹断电压UGS（off)＝-1V，当测量到它在电路中的电压值为：UDS＝-3V，UGS＝-2V时，可以断定该MOS管工作在截止区。
26、N沟道耗尽型MOS管的夹断电压UGS（off)＝-2V，当测量到它在电路中的电压值为：UDS＝3V，UGS＝-1V时，可以断定该MOS管工作在饱和区。
15、作为放大器件工作时，耗尽型N沟道MOSFET的栅源电压能用正向偏置。
2、某N沟道耗尽型MOSFET，其阈值电压为-2V，增益因子β为2A/V2。当栅极电压为3V，漏极电压为4V时，器件的漏源电流为（）。
11、对增强型MOS管，只有在栅源电压绝对值大于 后，才会形成导电沟道。
24、p沟道增强型比n沟道增强型器件更易制造的原因是氧化层正电荷的积累可能会使n型半导体反型。
10、P沟道增强型MOS管的栅源开启电压是________
6、引入了并联反馈，则其输入电阻会（）。
耗尽型MOS管工作在恒流区时的栅-源电压可以是＞0V、＜0V、=0V。
